半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置，其具有：剖面上具有弯曲部的下部电极（１６），沿该下部电极（１６）的上面形成由强电介质构成的电容器绝缘膜（１７），沿着该电容器绝缘膜（１７）上面形成的上部电极（１８）。电容器绝缘膜（１７）和上部电极（１８）是通过化学气相沉积法（ＣＶＤ）形成的。本发明专利技术使具有立体形状的强电介质电容器元件的上部电极不发生破裂。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是涉及具有电容器元件的半导体装置，特别是具有电容器绝缘膜中采用立体形状的强电介质电容器元件的。
技术介绍
近年来，在具有电容器绝缘膜采用强电介质的电容器元件的、所谓强电介质存储装置领域中，也越来越要求元件微细化。但是，以往通过涂敷法形成强电介质膜的成膜方法只能在平坦的面上形成强电介质膜。因此，存储单元的微型化是有界限的。为了解决这个问题，研究在阶梯部上通过化学气相沉积(Chemical Vapor DepositionCVD)法可能形成强电介质膜的成膜方法，关于通过存储单元立体化缩小单元面积，正在进行了各种研究。下面，参照附图说明以往的强电介质存储装置中的电容器元件及其制造方法。(例如，参照专利文献1)图8表示以往的电容器元件的剖面结构。如图8所示，从下依次形成由氮化铝钛(TiAlN)构成的第1势垒层101，由铱(Ir)构成的第2势垒层102和由氧化铱(IrO2)构成的第3势垒层103。这3层势垒层101、102、103被由氧化硅构成的衬底绝缘膜104覆盖。在衬底绝缘膜104上预先形成露出第3势垒层103的开口部104a，按照覆盖衬底绝缘膜104的开口部104a的周围部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具有：在剖面上具有弯曲部的下部电极；由沿上述下部电极的上面形成的强电介质构成电容器绝缘膜；及沿上述电容器绝缘膜的上面形成的上部电极，其中，上述上部电极是由化学气相沉积法形成的。

【技术特征摘要】
JP 2003-11-21 2003-3918041.一种半导体装置，其特征在于，具有在剖面上具有弯曲部的下部电极；由沿上述下部电极的上面形成的强电介质构成电容器绝缘膜；及沿上述电容器绝缘膜的上面形成的上部电极，其中，上述上部电极是由化学气相沉积法形成的。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述半导体绝缘膜是由化学气相沉积法形成的。3.一种半导体制造方法，其特征在于，具有形成上面具有凹部或凸部的衬底膜的工序，在上述衬底膜上，沿上述凹部或凸部形成下部电极的工序，在上述下部电极上，沿该下部电极形成由强电介质构成的电容器绝缘膜的工序，通过化学气相沉积法，在上述电容器绝缘膜上，沿该电容器绝缘膜形成上部电极的工序。4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，上述电容器绝缘膜是由化学气相沉积法形成的。5.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，形成上述上部电极的工序，在上述上部电极使用铂，并且在300℃以上的成长温度下形成。6.一种半导体制造方法，其特征在于，具有形成在上面具有凹部或凸部的衬底膜的工序，在上述衬底膜上，沿上述凹部或凸部形成下部电极的工序，在上述下部电极上，沿该下部电极形成由强电介质构成的电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：矢野尚，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]