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一种半导体装置，其具有：剖面上具有弯曲部的下部电极（１６），沿该下部电极（１６）的上面形成由强电介质构成的电容器绝缘膜（１７），沿着该电容器绝缘膜（１７）上面形成的上部电极（１８）。电容器绝缘膜（１７）和上部电极（１８）是通过化学气相沉积法...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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