形成金属-绝缘体-金属电容的方法技术

一种于基层上配合铜互连工艺以形成金属－绝缘体－金属电容的方法，此基层包含介电层、铜底部平板、铜布线及障蔽层，该方法包含：　　　　在该障蔽层上方的介电质中形成镶嵌结构的通孔开口以及欲当作金属－绝缘体－金属电容上平板的开口；　　　　沉积一介电层于上述开口之上，此介电层当作金属－绝缘体－金属电容的中间绝缘体；　　　　形成一光阻层于欲当作金属－绝缘体－金属电容上平板的开口上方；　　　　执行一各向异性蚀刻步骤以去除通孔开口底下的介电层而暴露底下的铜布线，其中通孔开口的侧壁仍余留有介电层；　　　　移除该光阻层；　　　　执行金属障蔽沉积；　　　　执行铜电镀以形成金属－绝缘体－金属电容上平板；及　　　　执行化学机械研磨以使表面平坦化。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般而言是关于半导体工艺，更明确地，是关于在铜金属镶嵌工艺中形成金属-绝缘体-金属(MIM)电容的方法。
技术介绍
随着半导体技术的进步，半导体装置的尺寸正朝向逐渐缩小的趋势。为了缩小半导体装置的尺寸，则需减小特征(诸如，电容)所占据的面积。因此，半导体技术中已提议有一种金属-绝缘体-金属(MIM)电容。金属-绝缘体-金属电容已被广泛使用于混合模式信号装置及其他应用上。将金属-绝缘体-金属电容嵌入铜互连中是一种极有经济效益的作法。R.Liu等人于Proc.2000 IITC，第111至113页(2000)中所提出之“SingleMask Metal-Insulator-metal(MIM)Capacitor with Copper DamasceneMetallization for sub-0.18μm Mixed Mode Signal and System-On-a-Chip(SoC)Applications”是早期有关在铜互连中形成金属-绝缘体-金属电容的技术文献。然而，此已知技术的问题在于其平行板金属-绝缘体-金属电容的制造过程中，会由于额外的顶部平板金属工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种于基层上配合铜互连工艺以形成金属-绝缘体-金属电容的方法，此基层包含介电层、铜底部平板、铜布线及障蔽层，该方法包含在该障蔽层上方的介电质中形成镶嵌结构的通孔开口以及欲当作金属-绝缘体-金属电容上平板的开口；沉积一介电层于上述开口之上，此介电层当作金属-绝缘体-金属电容的中间绝缘体；形成一光阻层于欲当作金属-绝缘体-金属电容上平板的开口上方；执行一各向异性蚀刻步骤以去除通孔开口底下的介电层而暴露底下的铜布线，其中通孔开口的侧壁仍余留有介电层；移除该光阻层；执行金属障蔽沉积；执行铜电镀以形成金...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁先捷，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：