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一种于基层上配合铜互连工艺以形成金属-绝缘体-金属电容的方法,此基层包含介电层、铜底部平板、铜布线及障蔽层,该方法包含: 在该障蔽层上方的介电质中形成镶嵌结构的通孔开口以及欲当作金属-绝缘体-金属电容上平板的开口; 沉积一介电层...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种于基层上配合铜互连工艺以形成金属-绝缘体-金属电容的方法,此基层包含介电层、铜底部平板、铜布线及障蔽层,该方法包含: 在该障蔽层上方的介电质中形成镶嵌结构的通孔开口以及欲当作金属-绝缘体-金属电容上平板的开口; 沉积一介电层...