【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，特别是涉及一种改善微影制程的关键尺寸均匀度的应用于微影制程的结构，以及应用该结构的半导体元件的制造方法。
技术介绍
在半导体元件的制造过程中，通常需要实行多次的微影制程，因此微影制程对半导体元件而言是相当重要的制程。举例来说，在集成电路的制程中，微影制程的准确度是决定电路的最大密度以及最终可靠度的因素之一。此外，微影制程对于晶体管与内联机的金属层和插塞的定位及其一致性亦是相当重要。但现有传统微影制程中，常因光阻无法完全吸收曝光光源的入射光，而造成部分的入射光穿透光阻层并由基底反射出反射光。此时，反射光便可能与入射光产生建设性或破坏性干涉而产生驻波，如此将使得图案化的光阻层轮廓不佳。为了解决上述问题，现有习知技术是在光阻层底下(即光阻层与膜层之间)形成一层抗反射层，用以吸收穿透光阻层的曝光光线，以改善上述的反射光与入射光的干涉所造成的问题。而抗反射层的材质通常是氮化硅、氮氧化硅等介电材料，或是其它具有吸收性质的有机材料。然而，这些材质的光吸收系数并不足够以吸收大部分的入射光，因此仍有部分的入射光会穿透抗反射层以及其下方的膜层而从基底表面反射，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种应用于微影制程的结构，其特征在于其包括一基底，该基底上已形成有至少一膜层；一光线阻隔层，配置于该基底上，并覆盖该些膜层；一抗反射层，配置于该光线阻隔层上；以及一光阻层，配置于该抗反射层上。2.根据权利要求1所述的应用于微影制程的结构，其特征在于其中所述的光线阻隔层的光吸收系数大于1.8。3.根据权利要求1所述的应用于微影制程的结构，其特征在于其中所述的光线阻隔层的材质包括导电材料。4.根据权利要求1所述的应用于微影制程的结构，其特征在于其中所述的光线阻隔层的材质包括金属材料。5.根据权利要求1所述的应用于微影制程的结构，其特征在于其中所述的抗反射层的材质包括一有机材料。6.根据权利要求1所述的应用于微影制程的结构，其特征在于其中所述的抗反射层的材质包括一无机材料。7.一种半导体元件的制造方法，其特征在于其至少包括以下步骤提供一基底，该基底上已依序形成有至少一膜层、一光线阻隔层、一抗反射层以及一光阻层；进行一微影制程以图案化该光阻层，而使部分的该抗反射层暴露出来；以及以该图案化的光阻层为罩幕，图案化该抗反射层、该光线阻隔层以及该膜层，而在该膜层中形成一开口。8.根据权利要求7所述的半导体元件的制造方法，其特征在于其中所述的图案化该抗反射层、该光线阻隔层以及该膜层的方法包括进行一蚀刻制程，且在该蚀刻制程中，该膜层的蚀刻速率大于...
【专利技术属性】
技术研发人员：林顺利，林云珠，张文忠，李静怡，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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