半导体装置和半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能在低温在扩散层上形成可充分地使用于升高的源漏技术的单晶层的半导体装置的制造方法。提供具备膜厚、膜质均匀的硅化物层的、将扩散层与电极的接触电阻维持得较低的、可进一步实现微细化的半导体装置。本发明专利技术的半导体装置的制造方法具备下述步骤：在半导体衬底１０的表面１２上形成栅绝缘膜２０、在栅绝缘膜上形成栅电极６０的步骤；在栅电极的两侧形成扩散层７０、７２的步骤；在扩散层上形成非晶质层１００的步骤；通过半导体衬底的表面与非晶质层的边界向半导体衬底离子注入惰性物质的步骤；在低温对半导体衬底进行热处理、使非晶质层的一部分成为硅单晶层１２０的步骤；以及通过在单晶上溅射金属由单晶和金属来形成硅化物层１３０的步骤。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
具有MOS(金属氧化物半导体)晶体管的集成电路正在实现微细化，其工作正在实现高速化。为了防止伴随MOS晶体管的微细化而产生的穿通等的短沟道效应，将源和漏的扩散层形成得较浅。另外，为了使MOS晶体管的工作实现高速化，频繁地使用通过在这些扩散层上以自对准的方式形成硅化物层以使扩散层与金属的接触电阻下降的自对准多晶硅化物(SALICIDE(自对准硅化物))技术。在自对准多晶硅化物技术中，使已被淀积的金属与作为衬底材料的硅反应来形成硅化物。因此，在被形成得较浅的源和漏的扩散层上直接淀积金属的情况下，有时以穿过这些扩散层之下的方式形成了硅化物。由此，在源和漏的扩散层与衬底之间产生漏泄。因此，开发了升高(Elevated)的源漏技术。升高的源漏技术是在源和漏的扩散层上有选择地形成了的硅单晶层上淀积金属以形成硅化物层的技术。由于该硅单晶层的硅与金属反应而形成硅化物，故硅化物不会过度地侵蚀源或漏的扩散层，硅化物不会向源或漏的扩散层下穿透。在升高的源漏技术中，在半导体衬底的表面中的源和漏的扩散层上有选择地使硅外延生长。为了在该外延生长中得到充分膜厚的硅单晶层，必须用气相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备下述步骤：在半导体衬底的表面上形成栅绝缘膜的步骤；在该栅绝缘膜上形成栅电极的步骤；在位于该栅电极两侧的上述半导体衬底中以自对准的方式形成扩散层的步骤；在上述扩散层中的 上述半导体衬底的表面上形成非晶质层的非晶质层形成步骤；通过上述半导体衬底的表面与上述非晶质层的边界向上述半导体衬底离子注入惰性物质的注入步骤；通过在对上述半导体衬底进行热处理使上述非晶质层的一部分成为单晶层的热处理步骤；以及 通过在上述单晶上溅射金属，由该单晶和该金属来形成硅化物层的步骤。

【技术特征摘要】
JP 2002-1-31 023548/20021.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备下述步骤在半导体衬底的表面上形成栅绝缘膜的步骤；在该栅绝缘膜上形成栅电极的步骤；在位于该栅电极两侧的上述半导体衬底中以自对准的方式形成扩散层的步骤；在上述扩散层中的上述半导体衬底的表面上形成非晶质层的非晶质层形成步骤；通过上述半导体衬底的表面与上述非晶质层的边界向上述半导体衬底离子注入惰性物质的注入步骤；通过在对上述半导体衬底进行热处理使上述非晶质层的一部分成为单晶层的热处理步骤；以及通过在上述单晶上溅射金属，由该单晶和该金属来形成硅化物层的步骤。2.如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在上述热处理步骤中，只使上述非晶质层中...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫野清孝，大内和也，水岛一郎，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]