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本发明提供能在低温在扩散层上形成可充分地使用于升高的源漏技术的单晶层的半导体装置的制造方法。提供具备膜厚、膜质均匀的硅化物层的、将扩散层与电极的接触电阻维持得较低的、可进一步实现微细化的半导体装置。本发明的半导体装置的制造方法具备下述步骤：...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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