半导体制造过程及合格率分析综合实时管理方法技术

本发明专利技术提供一种半导体制造过程及合格率分析综合实时管理方法。其包含有在半导体制造过程中以多个项目检测多个半导体产品，以产生及纪录多个检测结果，并以一预设规则将半导体产品分成多个种类，产生一初始数据以纪录于一数据库中，依一预设产品规则及参数来索引多个半导体产品种类及数据库中相关的初始数据，以计算一相关分析结果，并依照索引的半导体产品种类及初始数据来显示分析结果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供一种管理方法，特别指一种提供半导体制造过程及合格率分析于多级管理层的综合实时管理方法。
技术介绍
在半导体制造过程当中，常使用大量的数据来监控、改进及控制其制造过程。请参考图1，图1为常规半导体制造过程10的流程示意图，半导体制造过程10可依七道步骤处理多个晶片12，其中包括有一薄膜沉积步骤14，一扩散步骤16，一掩膜步骤18，一蚀刻步骤20，一取样测试步骤22，一晶片测试步骤24，及一最终测试步骤26，而每个步骤皆会产生多个检测结果，用来控制或改进该半导体制造过程10。然而，上述的检测结果仅是原始数据，在常规技术各步骤当中，并无有效综合原始数据，以致于监控半导体制造过程10有其困难之处，而在不同的管理等级当中，从大量的原始数据中选定有效的数据亦不容易。
技术实现思路
因此本专利技术的主要目的在于提供一种，以解决上述问题。根据本专利技术，公开一种，其包含有检测多个半导体产品的多个项目，并于制造过程当中产生及纪录多个检测结果，将半导体产品依一预设规则分成多个种类，产生一初始数据并纪录于一数据库中，依一预设产品规则及参数来索引多个半导体产品种类及数据库中相关的初始数据，以计算一相关分析结果，并依照索引的半导体产品种类及初始数据来显示分析结果。本专利技术可将半导体制造过程的检测结果转换成可提供管理及分析的各种图表，这些图表可依据管理层级而综合于网页上直接浏览，并提供实时互动的监控及管理。附图说明图1为常规半导体制造过程的流程示意图。图2为本专利技术半导体制造过程及合格率分析管理方法的流程图。图3为图2显示步骤的显示框的示意图。图4为图3取样测试层、晶片测试层或最终测试层的显示框的示意图。图5为图4显示框的晶片图及统计图表的示意图。图6为图3缺陷检测层的显示框的示意图。图7为图3Cp/Cpk统计层的显示框的示意图。图8为图3实时规格警示层的显示框的示意图。图9为图3问题根由路径分析层的显示框的示意图。图10为多层级管理结构。附图符号说明晶片12薄膜沉积14 88扩散16 82掩膜18 86蚀刻20 84取样测试22晶片测试24最终测试26检测半导体产品30分类半导体产品32纪录数据至数据库34将数据编成索引并产生一相关分析结果36显示该分析结果38显示框40 60 70 80 100 110取样测试42晶片测试44最终测试46缺陷48 Cp/Cpk 50实时规格52问题根由路径分析54分析项目66 112分析结果56 68 116查询项目62查询按钮64批号65DC图按钮67统计图项目69DC图71统计图表73 90统计表格92查询项目72查询按钮74亮区(bright field)分析结果76暗区(dark field)分析结果78警示表格102警示清单104分析按钮114多层级管理结构120指导者122部门管理者124分段管理者126工程师128具体实施方式请参考图2，图2为本专利技术半导体制造过程及合格率分析管理方法的流程图，该方法包含有下列步骤步骤30于半导体制造过程中，检测多个半导体产品的项目，并且纪录检测的结果； 步骤32依一预设规则将该半导体产品分成多个种类，依各种类检测的结果产生一原始数据；步骤34将原始数据依相关种类储存于一数据库；步骤36依预定的规则索引数据库中的多个半导体产品种类，依照预定参数索引各半导体产品种类的原始数据，使用分析模块(analysis module)从索引的半导体产品种类与原始数据中计算相对应的一分析结果；以及步骤38依照索引的半导体产品种类及原始数据显示分析结果于网页上。请参考图3，图3为图2显示步骤的显示框40的示意图。其中显示框40依照图1的七层步骤，呈现检测半导体制造过程所得的分析结果56，包含有一取样测试层42，一晶片测试层44，一最终测试层46，一Cp/Cpk统计层50，一实时规格警示层(alarming real-time spec class)52，及一问题根由路径分析层(Root Case Analysis)54。请参考图4，图4为图3取样测试层42、晶片测试层44或最终测试层46的显示框60的示意图。显示框60包含有多个查询项目62、一查询按钮64、多个分析项目66及多个分析结果68。使用者可设定该查询项目62，查询项目包含有半导体产品、制造过程步骤及制造过程日期，当按下该查询按钮64之后，分析结果68将依多个批号(lot number)65及分析项目66条列显示，其中包括有处理批号、品名字尾、测试时间、晶片号码、合格率、每个晶片的晶片图、统计图表、修复率等，也就是说，这些半导体产品以晶片、批号、时间(如测试时间及制造过程日期)来作分类，且使用者可直接由图4所示的综合介面存取所有相关的统计分析结果(如合格率和修复率)，其中多个晶片图按钮67及多个统计图项目69皆联系至另一显示框，显示特定批号中每一晶片的晶片图与统计图表。请参考图5，图5为图4显示框60的晶片图67及统计图表69的示意图，依照查询项目62及批号65，每个晶片的晶片图71及统计图表73皆呈现于显示框60中，作为特定批号的半导体制造过程的概观。请参阅图6，图6为图3缺陷检测层48的显示框70的示意图。显示框70包含有多个查询项目72、一查询按钮74、一亮区(bright field)分析结果76及一暗区(dark field)分析结果78。使用者可设定查询项目72，查询项目72包含有半导体产品及制造过程日期，当按下查询按钮74之后，亮区分析结果76和暗区分析结果78将依晶片的层级来条列，这和图4的分析结果68很类似，包含有处理批号、品名字尾、测试时间、晶片号码、合格率、每个晶片的晶片图、统计图表、修复率等，也就是说半导体产品可依处理方式(如暗区及亮区)来作分类，而相关的分析结果也可经由图6当中的介面来存取。请参考图8，图8为图3实时规格警示层52的显示框100的示意图，显示框100包含有一警示表格(alarming table)102，并以制造过程日期显示半导体制造过程中各段的警示状况，其中各段的细项皆依照该晶片的批号显示于一警示清单104(alarming list)上，这些细项包含有制造过程批号(manufacturing lots)、制造过程设备、制造过程日期以及不合规格的原因，而且使用者可在警示清单104上加以备注。图9为图3问题根由路径分析层54的显示框110的示意图，显示框110包含有多个分析项目112、一分析按钮114及多个分析结果116。使用者可设定分析项目112，例如制造过程技术(manufacturing technology)、制造过程产品种类(manufacturingproducts)、制造过程产品及制造过程层级(manufacturing layer)。当按下分析按钮114时，分析结果116将以制造过程变量名称(manufacturingvariable name)来条列，制造过程变量名称变量包含有制造过程时间，平均数，标准差等等。请参考图10，图10为多层级管理结构120(multiple-class managementarchitecture)。多层级管理结构120包含有一处长122(director)，多个部门管理者124(depart本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制造过程及合格率分析综合实时管理方法，该方法包含有：于半导体制造过程中，使用多个项目来检测多个半导体产品，并且记录各半导体产品的检测结果；依照一预定规则将该多个半导体产品分为多个种类，并依据各种类的检测结果产生一原始数据，将该原始数据与相关种类储存于一数据库；依照一预设产品规则来索引该数据库的多个半导体产品种类，以及依照一预定参数来索引各半导体产品种类相对应的初始数据，并从索引的半导体产品种类与原始数据中，以一分析模块计算相对应的一分析结果；以及依半导体产品种类及原始数据显示该分析结果。

【技术特征摘要】
US 2004-2-20 10/708,2771.一种半导体制造过程及合格率分析综合实时管理方法，该方法包含有于半导体制造过程中，使用多个项目来检测多个半导体产品，并且记录各半导体产品的检测结果；依照一预定规则将该多个半导体产品分为多个种类，并依据各种类的检测结果产生一原始数据，将该原始数据与相关种类储存于一数据库；依照一预设产品规则来索引该数据库的多个半导体产品种类，以及依照一预定参数来索引各半导体产品种类相对应的初始数据，并从索引的半导体产品种类与原始数据中，以一分析模块计算相对应的一分析结果；以及依半导体产品种类及原始数据显示该分析结果。2.如权利要求1所述的方法，其中该多个半导体产品为一晶片上不同位置的芯片，依照芯片位置的检测结果的统计值来索引半导体产品种类，并将各芯片检测结果依据在晶片上的位置来呈现。3.如权利要求1所述的方法，其中该多个半导体产品为不同种类或批次的晶片，依照晶片的种类、批次与制造过程日期的检测结果的统计值来索引半导体产品种类，并将各晶片检测结果依照晶片的种类、批次与制造过程日期来呈现。4.如权利要求1所述的方法，其中该检测结果及半导体产品检测结果统计依据一预定的周期来索引及显示。5.如权利要求1所述的方法，其中各该半导体产品为经过不同程序处理的一晶片，该检测结果为该晶片于制造过程中缺陷检测结果，且依据各产品的种类及晶片制造过程日期来索引并显示缺陷检测结果。6.如权利要求1所述的方法，其中各该半导体产品为经过不同程序处理的一晶片，检查该制造过程检测结果的时间趋势来索引及统计，并依据制造过程的种类及时间来显示其趋势图。7.如权利要求1所述的方法，其中各该半导体产品为经过不同程序处理的一晶片，并在一预定周期内索引及统计，依照该预定周期显示相关的检测结果。8.如权利要求1所述的方法，还包含有于不同的周期内纪录该分析结果，并将这些结果互相比较相似性，显...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴鸿恩，陈建中，王胜仁，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]