半导体元件及其制造方法技术

一种半导体元件及其制造方法，其在半绝缘性基板（１００）上依次形成第一集电极层（１０１）、第二集电极层（１０２）、基极层（１０３）、第一发射极层（１０４）及第二发射极层（１０５）。形成第二发射极层（１０５）图形后，对第二集电极层（１０２）的第二发射极层（１０５）的外侧区域注入离子，而形成非活性化区域（１０９）。对第二发射极层（１０５）进行侧面蚀刻，由此分离第二发射极层的一端和非活性化区域的一端，并且在第一发射极层（１０４）的第二发射极层（１０５）端与非活性化区域（１０９）端之间形成耗尽化区域（１１１）。因此，不增加工序数，实现通过注入离子降低基极.集电极之间电容、且没有晶体管特性劣化的高性能ＨＢＴ。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使用设置有外延层的基板的异质结双极型晶体管(以下称为HBT)及其制造方法。
技术介绍
以往，为了实现高性能的HBT，使用了以下方法，即，使用离子注入法，对位于HBT的基极区域正下方的集电极(collector)区域的一部分进行非活性化，降低基极·集电极之间的寄生电容。但是，在所述的工序中，由于注入离子的掺杂剂从发射极表面通过基极区域而到达集电极区域，因此发射极层(emitter layer)和基极层(baselayer)各自的结晶性、以及发射极层与基极层之间的界面的结晶性损坏，其结果引起晶体管特性(电流放大率hFE＝集电流/基极电流)劣化的问题。与此相对，在基于山口(富士通)的方法(参照日本特开平6-232148号专利)中，在发射极侧面形成由氧化膜构成的侧壁(side wall)，并由此避免所述问题的发生。但是在特开平6-232148号专利记载的方法中，由于必须进行为了防止由离子注入引起的损坏而形成氧化膜侧壁的工序、以及注入离子后去除氧化膜侧壁的工序，因此工序数增多，增大了制造成本。
技术实现思路
本专利技术鉴于以上的事实，其目的在于提供一种以不增多工序数的方式实现通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种异质结双极型晶体管，具备集电极层、形成在所述集电极层上的基极层、以及形成在所述基极层上的发射极层，其特征是：所述发射极层具备覆盖所述基极层的整个上面的第一半导体层、和形成在所述第一半导体层的规定部分上方的第二半导体层，在 所述集电极层的所述基极层的下侧区域且所述第二半导体层的外侧区域，通过离子注入而设置非活性化区域，所述非活性化区域的一端和所述第二半导体层的一端分离开，所述第一半导体层的所述非活性化区域的一端和所述第二半导体层的一端之间的区域 被形成耗尽化区域。

【技术特征摘要】
JP 2004-3-10 2004-0666881.一种异质结双极型晶体管，具备集电极层、形成在所述集电极层上的基极层、以及形成在所述基极层上的发射极层，其特征是所述发射极层具备覆盖所述基极层的整个上面的第一半导体层、和形成在所述第一半导体层的规定部分上方的第二半导体层，在所述集电极层的所述基极层的下侧区域且所述第二半导体层的外侧区域，通过离子注入而设置非活性化区域，所述非活性化区域的一端和所述第二半导体层的一端分离开，所述第一半导体层的所述非活性化区域的一端和所述第二半导体层的一端之间的区域被形成耗尽化区域。2.如权利要求1所述的异质结双极型晶体管，其特征是所述非活性化区域的一端和所述第二半导体层的一端，分离开0.1μm以上。3.如权利要求1所述的异质结双极型晶体管，其特征是所述第一半导体层由InGaP层构成。4.如权利要求1所述的异质结双极型晶体管，其特征是注入到所述非活性化区域的元素是H、He以及B中的至少一种。5.一种异质结双极型晶体管的制造方法，是具备集电极层、形成在所述集电极层上的基极层、以及形成在所述基极层上的发射极层的异质结双极型晶体管的制造方法，其特征是，包括在所述基极层上方依次形成成为所述发射极层的第一半导体层和第二半导体层的工序；将所述第二半导体层图形化为规定形状的工序；对于在所述集电极层的被图形化的所述第二半导体层的外侧区域，通过注入离子而形成非活性化区域的工序；对被图形化的所述第二半导体层...

【专利技术属性】
技术研发人员：小岛圭介，反保敏治，村山启一，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]