碳化硅热处理装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种碳化硅热处理装置和方法。热处理装置至少包括一个密封炉室、炉室内设置旋转加热平台、高频感应加热器和样品保护罩构成。采用高频感应加热法代替现有的电阻率加热；高频感应加热器对石墨圆板加热，石墨圆板旋转，１５００－１７００℃下恒温加热０．５－２．０小时。本发明专利技术将区熔单晶的部分工艺与热处理相结合构成了新的热处理工艺，为ＳｉＣ热处理提供了一个可靠的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体技术，特别是一种。
技术介绍
碳化硅(SiC)为宽带隙半导体材料，它有很多优点。它的带隙宽，为2.4-3.35e，而Si是1.1e；它的导热性好，热导率为4.9W/cm K，是Si的四倍(1.3W/cm K)，GaAs的八倍(0.6W/cm K)；它耐压高，击穿场强为3.5-3.8W/cm K，是Si和GaAs的十倍(Si0.3W/cm K，GaAs0.4W/cm K)。此外，它还有抗辐射性能好，硬度高，耐磨耐腐蚀等优点。因此用SiC制作的半导体器件，可以稳定工作在高温、高频、高压、强辐射、强压力和化学腐蚀的条件下稳定工作。然而，SiC制备非常困难，例如SiC单晶的生长就要在10万个大气压下加热到3200℃才有可能获得。在国际上SiC的研究已有可喜的进展。目前已有2寸的4H和6H-SiC的单晶和外延片以及3寸的4H-SiC单晶出售。在应用方面用SiC制作的MESFET功率器件可达3.3W/mm2，工作频率可达42GHZ，脉冲功率可达470W。SiC制造的微电子机械系统(MEMS)已用在航空航天系统，热引擎的燃烧系统，微观飞行器的助推器，微机械制造的燃气涡轮等。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳化硅热处理装置，其特征在于它至少包括一个密封炉室、炉室内设置旋转加热平台、高频感应加热器和样品保护罩构成。

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅热处理装置，其特征在于它至少包括一个密封炉室、炉室内设置旋转加热平台、高频感应加热器和样品保护罩构成。2.根据权利要求1中所述的碳化硅热处理装置，其特征在于所述的热处理装置包括炉室、石英保护罩、高频感应加热器、旋转加热平台与旋转轴杆构成；不锈钢制成的炉室，为密封室，它设置有进气口和出气口；旋转加热平台位于炉室的中央，它是由石英园板与组成，石墨圆板位于石英园板下方；保护罩安放在旋转加热平台的上方；高频感应加热器电流加热线圈位于石墨圆板周围，它穿过炉室壁与高频电流发生器相连，旋转轴杆与加热平台连接，旋转轴杆连接电机。3.根据权利要求2中所述的碳化硅热处理装置，其特征在于所述的石墨圆板厚度是3mm厚，直径Φ＝80mm。4.根据权利要求2中所述的碳化硅热处理装置，其特征在于所述的石英圆板的厚度为1mm，直径Φ＝140mm。5.根据权利要求2中所述的碳化硅热处理装置，其特征在于所述的旋转轴杆直径为10-...

【专利技术属性】
技术研发人员：李养贤，刘何燕，郝秋艳，徐学文，刘彩池，黄千驷，
申请(专利权)人：河北工业大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]