【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体用粘着薄膜，使用该半导体用粘着薄膜的附有粘着薄膜的金属板，附有粘着薄膜的配线电路及半导体装置，以及半导体装置的制造方法，由于该半导体用粘着薄膜可从配线电路及封装树脂简便剥除，因而能够以高作业性制造半导体封装体。
技术介绍
近年来为实现半导体封装体的小型、薄型化，开发了仅将导线架的一面(半导体元件侧)封装，而将背面外露的导线用于外部连接的构造的封装体。该构造的封装体由于导线未从封装树脂突出，因而具有可实现小面积化及薄型化的优点。例如，将粘胶带贴于导线架的一面后，将芯片搭载于导线架的反面，丝焊，封装后，剥除粘胶带的方法已提议(参考例如日本专利特开平10-12773号公报(权利要求4)、特开平2000-294580号公报(权利要求1))。但是，使用导线架时，受导线架厚度、材质的限制，有半导体封装体的高度仍高，无法形成微细配线等问题。另一方面，作为与上述类似的制作半导体封装体的其它方法，尽管已想出在临时支持基板上形成金属层，接着形成电路，搭载芯片，丝焊，封装，然后再剥去临时支持基板的方法，然而，为防止封装时树脂渗入配线电路与支持基板之间，避免剥离支...
【技术保护点】
一种半导体用粘着薄膜，其是在金属板的一面粘贴半导体用粘着薄膜后，加工金属板成配线电路，搭载半导体元件，封装后进行剥离的方法中所使用的半导体用粘着薄膜，其特征在于：在支持薄膜的一面或双面形成有树脂层Ａ，将粘贴有半导体用粘着薄膜的金属板加工成配线电路前，树脂层Ａ与金属板在２５℃的９０度剥离强度大于等于２０牛顿／米，且以封装材料封装粘贴有半导体用粘着薄膜的配线电路后，树脂层Ａ与配线电路及与封装材料在０～２５０℃温度范围的至少一点的９０度剥离强度都小于等于１０００牛顿／米。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-2-19 040904/20031.一种半导体用粘着薄膜，其是在金属板的一面粘贴半导体用粘着薄膜后，加工金属板成配线电路，搭载半导体元件，封装后进行剥离的方法中所使用的半导体用粘着薄膜，其特征在于在支持薄膜的一面或双面形成有树脂层A，将粘贴有半导体用粘着薄膜的金属板加工成配线电路前，树脂层A与金属板在25℃的90度剥离强度大于等于20牛顿/米，且以封装材料封装粘贴有半导体用粘着薄膜的配线电路后，树脂层A与配线电路及与封装材料在0～250℃温度范围的至少一点的90度剥离强度都小于等于1000牛顿/米。2.如权利要求1所述的半导体用粘着薄膜，其中，以封装材封装装后，树脂层A与配线电路及与封装材料在100～250℃温度范围的至少一点的90度剥离强度都小于等于1000牛顿/米。3.如权利要求1所述的半导体用粘着薄膜，其中，以封装材料封装后，在将半导体用粘着薄膜从配线电路及封装材料剥除时的温度下，树脂层A与配线电路及与封装材料的90度剥离强度都小于等于1000牛顿/米。4.如权利要求1所述的半导体用粘着薄膜，其中，树脂层A的玻璃转化温度为100～300℃。5.如权利要求1所述的半导体用粘着薄膜，其中，树脂层A减少5重量％的温度大于等于300℃。6.如权利要求1所述的半导体用粘着薄膜，其中，树脂层A在230℃的弹性率大于等于1MPa。7.如权利要求1所述的半导体用粘着薄膜，其中，树脂层A含具有酰胺基、酯基、酰亚胺基、醚基或二氧硫基的热塑性树脂。8.如权利要求1所述的半导体用粘着薄膜，其中，树脂层A含具有酰胺基、酯基、酰亚胺基或醚基的热塑性树脂。9.如权利要求1所述的半导体用粘着薄膜，其中支持薄膜的材质选自芳香族聚酰亚胺、芳香族聚酰胺、芳香族聚酰胺酰亚胺、芳香族聚砜、芳香族聚醚砜、聚苯硫醚、芳香族聚醚酮、聚芳酯、芳香族聚醚醚酮及聚萘酸乙二醇酯所成的...
【专利技术属性】
技术研发人员：松浦秀一，河合纪安，
申请(专利权)人：日立化成工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。