晶片双面工艺的方法技术

首先提供一晶片，接着利用一第一热分离胶带将晶片的背面固定于一第一支撑载具上，并对晶片的正面进行至少一第一半导体工艺。随后利用一第二热分离胶带将晶片的正面固定于一第二支撑载具上，再加热使第一热分离胶带自晶片的背面上脱离。然后对晶片的背面进行至少一第二半导体工艺，再加热使第二热分离胶带自晶片上脱离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及一种利用热分离胶带固定晶片以进行双面工艺的方法。
技术介绍
由于半导体技术日益精进以及元件积集度不断提升，因此半导体工艺广泛地被应用在微机电(MEMS)技术的领域中发展，以制作出各种微机电元件，例如微感应器(micro sensor)与微致动器(micro actuator)等，且因其具有较传统半导体元件更为复杂的机械设计结构，例如正反穿孔的结构或旋转轴结构，因此往往必须利用双面工艺加以制作。然而由于双面工艺并非半导体标准工艺，于制作上无法直接利用现有机中进行，因此于制作时往往面临许多困难。举例来说，由于用以制作微机电元件的晶片往往较传统半导体元件为薄且脆弱，若无适合的固定机制与保护措施，极易造成晶片于工艺及传送的过程中发生破片或裂痕而严重影响生产成品率。请参考图1与图2，图1与图2为现有一双面工艺的方法示意图。如图1所示，晶片10包括一正面12与一背面14，分别需要进行至少一半导体工艺，例如光刻、蚀刻或研磨等工艺，以形成所需的结构。当对晶片10的正面12进行正面工艺以形成正面图案12A时，晶片10的背面14利用传统的半导体工艺机中的真空夹盘(chuck)16加以吸附固定，以避免晶片10于工艺中产生偏移而影响正面图案12A的对位准确性。如图2所示，当正面图案12A形成后会将晶片10翻转，并利用真空夹盘16吸附晶片10的正面12以制作晶片10的背面图案14A。然而如图2所示，由于制作晶片10的背面图案14A时利用真空夹盘16吸附晶片10的正面12藉以固定晶片10，在此状况下正面图案12A非常容易因摩擦或碰撞而受损。除此之外，一旦欲制作的元件具有正反穿孔的结构时，则于进行背面工艺时将使真空夹盘16的吸附功能减弱甚至失效，进而导致晶片10的背面图案14A对位不准，甚至造成晶片10脱离真空夹盘16而受损的情况。除上述进行双面工艺的方法外，现有技术还包括一种应用于后段封装双面工艺的方法。请参考图3至图7，图3至图7为现有一后段封装双面工艺的方法示意图。如图3所示，首先提供一芯片30，且芯片30包括一正面32与一背面34。接着利用一紫外线胶带36贴合于芯片30的背面34并藉此将芯片30固定于一铁框38上。如图4所示，接着利用一切割机中的切割刀40进行正面切割工艺，以切割晶片30但不切穿晶片30。如图5所示，接着将晶片30翻转并利用另一紫外线胶带42将晶片30的正面32固定于一玻璃晶片44上。再利用紫外线照射晶片30的背面34的紫外线胶带(图未示)以分离晶片30与铁框38。如图6所示，然后利用一研磨机中46进行一研磨工艺，由晶片30的背面34研磨晶片30，以形成所需的晶粒(die)48。如图7所示，最后利用紫外线由玻璃晶片44的背面照射紫外线胶带42，以分离玻璃晶片44与晶粒48。上述双面工艺的方法虽可固定晶片30，然而其应用范围仅限于后段封装双面工艺，其原因在于紫外线胶带无法耐高温及有机溶剂，因此于前段双面工艺中若工艺温度过高或进行湿蚀刻工艺时，将会导致紫外线胶带42产生质变而无法固定晶片30，甚至影响元件。另外，现有技术中还包括利用一光致抗蚀剂层(或一腊层)取代紫外线胶带的作法，然而由于进行背面工艺时光致抗蚀剂层粘着于一支撑载座上，因此有机溶剂仅能由光致抗蚀剂层的侧面缓慢浸入光致抗蚀剂层，故需耗费数小时以上时间方可去除光致抗蚀剂层，因此此一作法并非有效率的作法。由于现有进行双面工艺的方法无法有效保护晶片，并具有成品率偏低或应用上的限制，若能发展出一种可有效避免晶片受损，并可运用于前段与后段双面工艺的方法，将大量提升生产成品率及应用范围。
技术实现思路
因此本专利技术的主要目的在于提供一种，以克服现有技术无法解决的问题。根据本专利技术的一优选实施例，提供一种。首先提供一晶片，且上述晶片包括一正面与一背面。接着利用一第一热分离胶带将晶片的背面固定于一第一支撑载具上，并对晶片的正面进行至少一第一半导体工艺。随后利用一第二热分离胶带将晶片的正面固定于一第二支撑载具上，并利用加热方式使第一热分离胶带自晶片的背面上脱离。然后对晶片的背面进行至少一第二半导体工艺，并利用加热方式使第二热分离胶带自晶片的正面上脱离。由于本专利技术的双面工艺方法利用一第一热分离胶带与一第二热分离胶带分别固定晶片的正面与背面，因此可于晶片进行正面工艺与背面工艺时分别提供有效的固定效果，同时由于第一热分离胶带与第二热分离胶带具有不同的分离温度，可轻易去除其中的一者而不致影响另一者的固定能力，因此可避免元件受损并有效提高生产成品率。为了更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图。然而所附图式仅供参考与辅助说明用，并非用来对本专利技术加以限制者。附图说明图1与图2为现有一双面工艺的方法示意图。图3至图7为现有一后段封装双面工艺的方法示意图。图8至图12为本专利技术的一优选实施例进行双面工艺的方法示意图。简单符号说明10晶片12正面12A 正面图案14背面14A 背面图案16真空夹盘30晶片32正面32A 面图案 34背面34A 背面图案36紫外线胶带38铁框40切割刀42紫外线胶带 44玻璃晶片46研磨机中48晶粒50晶片52正面52A 正面图案54背面54A 背面图案56第一热分离胶带58第一支撑载具60第二热分离胶带62第二支撑载具 具体实施例方式请参考图8至图12，图8至图12为本专利技术一优选实施例的双面工艺方法的示意图。如图8所示，首先提供一晶片50，且晶片50包括一正面52与一背面54。接着利用一第一热分离胶带56将晶片50的背面54固定于一第一支撑载具58上，并对晶片50的正面52进行至少一半导体工艺，例如光刻工艺、蚀刻工艺与研磨工艺等，以于晶片50的正面52上形成一正面图案52A。如图9所示，当正面图案52A完成后，接着利用一第二热分离胶带60将晶片50的正面52固定于一第二支撑载具62上。其中第一支撑载具58与第二支撑载具62具有与晶片相近的尺寸，其作用在于支撑并固定晶片50，使晶片50于进行正面工艺与背面工艺时不致产生偏移而具有良好的对位效果。同时第一支撑载具58与第二支撑载具62可使用玻璃、石英、硅、陶瓷或其它适合的材料等，以避免于进行半导体工艺时因工艺温度过高或与工艺的反应物产生反应而影响元件。如图10所示，当晶片50的正面52藉由第二热分离胶带60紧密地固定于第二支撑载具62上之后，随即利用加热方式使第一热分离胶带56失去粘着效果，进而使晶片50与第一支撑载具58分离。其中热分离胶带具有双面粘着且与半导体工艺兼容的特性，当温度低于其分离温度时热分离胶带具有良好的粘着力，而当温度到达其分离温度时热分离胶带会丧失粘着力。因此，本专利技术即利用热分离胶带的特性，于进行正面工艺时使用第一热分离胶带56将晶片50的背面54固定于第一支撑载具58，并于正面工艺完成后使用第二热分离胶带60，将晶片50的正面52固定于第二支撑载具62上，待晶片50的正面52紧密地固定于第二支撑载具62上后，再利用加热方式将晶片50的背面54与第一支撑载具58分离，并进行背面工艺。由于第一热分离胶带56的分离温度低于第二热分离胶带60的分离温度，因此当温度升高至第一热分离胶带56的分离温度时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片双面工艺的方法，其包括：提供一晶片，且该晶片包括一第一表面与一第二表面；　利用一第一热分离胶带将该晶片的该第二表面固定于一第一支撑载具上，并对该晶片的该第一表面进行至少一第一半导体工艺；利用一第二热分离胶带将 该晶片的该第一表面固定于一第二支撑载具上，并利用加热方式使该第一热分离胶带自该晶片的该第二表面上脱离；对该晶片的该第二表面进行至少一第二半导体工艺；以及利用加热方式使该第二热分离胶带自该晶片的该第一表面上脱离。

【技术特征摘要】
1.一种晶片双面工艺的方法，其包括提供一晶片，且该晶片包括一第一表面与一第二表面；利用一第一热分离胶带将该晶片的该第二表面固定于一第一支撑载具上，并对该晶片的该第一表面进行至少一第一半导体工艺；利用一第二热分离胶带将该晶片的该第一表面固定于一第二支撑载具上，并利用加热方式使该第一热分离胶带自该晶片的该第二表面上脱离；对该晶片的该第二表面进行至少一第二半导体工艺；以及利用加热方式使该第二热分离胶带自该晶片的该第一表面上脱离。2.如权利要求1所述的方法，其中该第一热分离胶带的分离温度小于该第二热分离胶带的分离温度。3.如权利要求1所述的方法，其中该第一半导体工艺的工艺温度低于该第一热分离胶带的分离温度。4.如权利要求1所述的方法，其中该第二半导体工艺的工艺温度低于该第二热分离胶带的分离温度。5.一种晶片双面工艺的方法，其包括提供一晶片，且该晶片包括一第一表面与一第二表面；利用一第一粘着层将该晶片的该第二表面固定于一第一支撑载具上，并对该晶片的该第...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵世丰，郭治平，
申请(专利权)人：探微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]