【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种设备、尤其涉及一种真空处理设备,用于基片、尤其是半导体晶片的加工带有至少一个加工工位。此外本专利技术涉及这种设备的加工工位、一种用于基片夹持和/或者输送的这样设备的框架、一种在框架中夹紧的薄膜、和一种用于基片、尤其是半导体晶片在真空处理设备中加工的方法。
技术介绍
用于集成电路制造的半导体晶片通常在真空处理设备中加工,它包括一个或多个加工工位,其中晶片在真空室中例如借助于CVD(化学汽化淀积)或者PVD(物理汽化淀积)的方法涂层或者蚀刻。同时重要的是,在真空室中的晶片在加工期间要采用力学的方式保持稳定,同时它的温度要得到控制,尤其是给晶片供给的处理热量要被排出来。否则的话晶片受到强烈加热的威胁,它可能导致晶片的损伤或者破坏。为了提高生产率越来越多地使用较大的晶片,其中部分晶片具有300毫米的直径,将来还会有更大直径的晶片获得应用。由于这种基片面积大、厚度薄(典型的0.8毫米或者更薄),不仅对在加工时晶片的夹持、而且对晶片通过真空处理设备的输送,提出了附加的力学要求,因为微小的力的作用就令导致基片的损伤或者破坏。为了改善温度控制晶片部分地在其背 ...
【技术保护点】
一种设备、尤其是一种真空处理设备,用于基片(130;230;330;430;530)、尤其是半导体晶片的加工,带有至少一个加工工位(582-588),其特征在于,为了夹持和/或者输送基片(130;230;330;430;530),所述设备包括至少一个带有夹紧的载体(120;220;320;420;520)的框架(110;210;310;410;510),其中基片(130;230;330;430;530)可大面积地固定在载体(120;220;320;420;520)上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-1-13 60/439,7451.一种设备、尤其是一种真空处理设备,用于基片(130;230;330;430;530)、尤其是半导体晶片的加工,带有至少一个加工工位(582-588),其特征在于,为了夹持和/或者输送基片(130;230;330;430;530),所述设备包括至少一个带有夹紧的载体(120;220;320;420;520)的框架(110;210;310;410;510),其中基片(130;230;330;430;530)可大面积地固定在载体(120;220;320;420;520)上。2.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,至少一个加工工位(582-588)包括一个带有一个平整的外表面(141;244;341;441)的夹紧电极(140;240;340;440),其中载体(120;220;320;420;520)可平行地和紧邻地定位在夹紧电极(140;240;340;440)的外表面(141;244;341;441)上。3.根据权利要求2所述的设备,其特征在于,a)载体(120;220;320)由不导电电介质材料组成,在一侧设有导电层(122;222;322);b)环行卡具(110;210;310)至少在一个区域导电;同时c)载体(120;220;320)夹紧在环行卡具(110;210;310)上,使导电层(122;222;322)与环行卡具(110;210;310)的导电区域相接触。4.根据权利要求3所述的设备,其特征在于,载体(120;220;320)通过适合真空的、不受温度变化影响的薄膜尤其是聚酰亚胺,和通过汽化渗镀的金属化导电层(122;222;322)或者导电的聚合物来构成。5.根据权利要求4所述的设备,其特征在于,薄膜(120;220;320)具有50-200微米、特别是大约100微米的厚度,同时金属化层(122;222;322)具有0.03~0.5微米、特别是大约0.1微米的厚度。6.根据权利要求2至5中任一项所述的设备,其特征在于,夹紧电极(347)布置在一个基体上,它包括高频电极(345),其中夹紧电极(347)与高频电极(345)电绝缘,其中尤其是设有一个穿过高频电极(345)接触夹紧电极(340)的绝缘套管(348)。7.根据权利要求2至6中任一项所述的设备,其特征在于,夹紧电极(240)包括一个电介质(243)、尤其是一个三氧化二铝Al2O3板,当载体(220)平行地、紧邻着夹紧电极(240)的外表面(244)定位时,该板位于夹紧电极(240)和载体(220)之间。8.根据权利要求2至7中任一项所述的设备,其特征在于,加工工位(582-588)包括用于在环行卡具(110;210;310)和夹紧电极(140;240;340)之间施加电压的电源(150;250;350),其中尤其是可以产生200-1500伏,优选为500-1000伏的直流电压。9.根据权利要求2至8中任一项所述的设备,其特征在于,夹紧电极(440)包括不同极性的多个区域。10.根据权利要求2至9中任一项所述的设备,其特征在于,加工工位(582-588)包括一个用于供给气体到夹紧电极(140;240;340;440)和载体(120;220;320;420)之间的间隙中的气体供给通道(142;242;342;442),其中优选产生100Pa以上的气体压力。11.根据权利要求1至10中任一项所述设备的用于基片(130;230;330;430)夹持和/或者输送的环行卡具,其特征在于,它用于载体(120;220;...
【专利技术属性】
技术研发人员:J魏夏特,
申请(专利权)人:OC欧瑞康巴尔斯公司,
类型:发明
国别省市:LI[列支敦士登]
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