半导体制造装置以及化学试剂交换方法制造方法及图纸

一种用于清洗半导体衬底的半导体制造装置，包括：高温循环型化学试剂槽（１１），填充有用于清洗半导体衬底（１３）的化学试剂（１２），并且其中所述化学试剂（１２）被循环和再利用；排放机构（２１），将所述化学试剂槽（１１）中的所述化学试剂（１２）从其中排出；辅助液体供应机构（３２），向被视为废化学试剂的已排出化学试剂（１２）添加辅助液体，从而加热所述废化学试剂；热量交换器（３１），在其中暂时存储所述加热的废化学试剂和允许新化学试剂流入，并且通过热量交换，冷却所述废化学试剂，并升高所述新化学试剂的温度；以及导管，在其中向所述化学试剂槽（１１）供应所述新化学试剂，所述新化学试剂具有在所述热量交换器中被升高的温度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造装置，其中利用高温循环型化学试剂槽清洗半导体衬底，以及化学试剂交换方法，用于在高温循环型化学试剂槽中交换化学试剂。
技术介绍
已提出了各种清洗半导体衬底的方法。当利用高浓度化学试剂时，采用重复循环并利用化学试剂清洗半导体衬底的系统。在此循环系统中，为利用而特别加热的化学试剂通常为硫酸和过氧化氢溶液的混合液、磷酸溶液、盐酸和过氧化氢溶液的混合液，以及氨水和过氧化氢溶液的混合液。在采用相同的化学试剂重复清洗半导体衬底的循环系统中，如果化学试剂被很好地利用，杂质在化学试剂中被溶解，或者在化学试剂之间相对于初始浓度发生反应，结果，化学试剂的浓度改变。因此，需要定期地或不定期地改变化学试剂。当采用新化学试剂交换高温化学试剂时，在处理槽最底部的导管处设置的废化学试剂阀门打开，以使化学试剂从其中排出。当需要冷却时，在处理槽中所有量的化学试剂被暂时存储在冷却池中，然后被排出去。当不需要冷却时，化学试剂被直接排出去。当所有量的化学试剂的排出结束时，关闭废化学试剂阀门，向处理槽供应新化学试剂。在处理槽中的化学试剂的量达到用于循环的量后，开动泵，并通过加热器升高化学试剂的温度。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制造装置，其特征在于包括：高温循环型化学试剂槽，填充有化学试剂，用于在所述化学试剂的温度被升高到预定温度的状态下清洗半导体衬底，并且其中所述化学试剂被循环和再利用；排放机构，将所述化学试剂槽中的所述化学试剂从其中排 出；辅助液体供应机构，向被视为废化学试剂的已排出化学试剂添加辅助液体，以通过与所述废化学试剂混合产生热量，从而加热所述废化学试剂；热量交换器，在其中暂时存储所述加热的废化学试剂和允许新化学试剂流入，并且通过在所述废化学试剂和 所述新化学试剂之间的热量交换，冷却所述废化学试剂，并升高所述新化学试剂的温度；以及供应机...

【技术特征摘要】
JP 2004-8-27 248970/20041.一种半导体制造装置，其特征在于包括高温循环型化学试剂槽，填充有化学试剂，用于在所述化学试剂的温度被升高到预定温度的状态下清洗半导体衬底，并且其中所述化学试剂被循环和再利用；排放机构，将所述化学试剂槽中的所述化学试剂从其中排出；辅助液体供应机构，向被视为废化学试剂的已排出化学试剂添加辅助液体，以通过与所述废化学试剂混合产生热量，从而加热所述废化学试剂；热量交换器，在其中暂时存储所述加热的废化学试剂和允许新化学试剂流入，并且通过在所述废化学试剂和所述新化学试剂之间的热量交换，冷却所述废化学试剂，并升高所述新化学试剂的温度；以及供应机构，向所述化学试剂槽供应所述新化学试剂，所述新化学试剂具有在所述热量交换器中被升高的温度。2.根据权利要求1的装置，其特征在于，通向所述废化学试剂的所述热量交换器的导管的容积等于或者大于向所述化学试剂槽供应的所述化学试剂的体积。3.根据权利要求1的装置，其特征在于，所述辅助液体通过与所述废化学试剂混合，产生稀释、反应或者中和热量。4.根据权利要求1的装置，其特征在于，所述化学试剂包含硫酸，所述辅助液体是水，以及利用由与所述辅助液体混合产生的稀释热量，加热所述化学试剂。5.根据权利要求1的装置，其特征在于，所述化学试剂包含盐酸，所述辅助液体是有机碱，以及利用由与所述辅助液体混合产生的中和热量，加热所述化学试剂。6.根据权利要求1的装置，其特征在于，所述化学试剂至少包含氨水，所述辅助液体是有机酸，以及利用由与所述辅助液体混合产生的反应热量，加热所述化学试剂。7.根据权利要求1的装置，其特征在于，根据在所述热量交换器中将所述新化学试剂的温度升高到预定温度所需的所述废化学试剂的温度，设置所述辅助液体的添加体积。8.根据权利要求1的装置，其特征在于，还包括浓度计量器，测量在所述化学试剂槽中的至少一种化学试剂的浓度，其中根据所述浓度计量器的测量结果确定所述辅助液体的添加体积。9.根据权利要求8的装置，其特征在于，根据由所述浓度计量器测得的浓度确定所述辅助液体的所述添加体积，以致所述废化学试剂的温度为将所述新化学试剂的温度升高到所述预定温度所需要的温度。10.根据权利要求1的装置，其特征在于，还包括化学试剂回路，从所述化学试剂槽底部，供应从所述化学试剂槽顶部溢出的化学试剂；以及加热器，设置在所述化学试剂回路的中部，以将化学试剂的温度升高到预定温度。11.根据权利要求1的装置，其特征在于，还包括导管，允许所述新化学试剂经过所述热量交换器。12.根据权利要求1的装置，其特征在于，还包括另一个排放机构，允许从所述化学试剂槽排出的少量废化学试剂不被供应给所述热量交换器，而被直接排放到外面。13.一种半导体制造装置，其特征在于包括高温循环型化学试剂槽，填充有化学试剂，用于在所述化学试剂的温度被升高到第一温度的状态下清洗半导体衬底，并且其中所述化学试剂被循环和再利用；排放机构，将所述化学试剂槽中的所述化学试剂从其中排出；辅助液体供应机构，向被视为具有低...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫崎邦浩，火口隆司，中岛俊贵，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]