通过使用助剂来制造铁电固体层的方法技术

除了包含有需蒸镀固体层元素的原始气体（Ｐ）之外，还向反应腔（１０；２０）的反应室导入至少一种助剂（Ｈ），如此来构造所述的助剂（Ｈ），使得其包含有具备偶极矩的分子，且这些分子具有如下特性，即它们在沉积处理期间可以利用垂直于基片表面的偶极矩而短时地积聚该基片表面上，以便由此来预给定所述生长固体层的晶体结构。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种如权利要求1的前序部分所述的、通过在基片上进行气相淀积(化学蒸镀，CVD)来制造铁电或顺电固体层的方法。另外在MOS晶体管中，铁电层可以替代门板氧化物层而构成半导体表面的门电极和沟道部分之间的绝缘层，由此可以制造出非易失的存储晶体管。在铁电存储电容或存储晶体管的实际应用中，譬如可以采用已知的锶铋钮酸盐组合物SrBi2Ta2O9(SBT)和SrBi2(Ta，Nb)2O9(SBTN)作为铁电材料，或者也可以采用Pb(Zr，Ti)O3(PZT，锆钛酸铅)或Bi4Ti3O12(BTO)。作为顺电材料，譬如(Ba，Sr)TiO3(BST)组合物形式的锶钡钛酸盐是已知的。在最高的排列密度下，对于作为铁电存储元件的上述应用，需要利用足够高的淀积速度和极好的层厚均匀性及化学计量来在一个大晶片上淀积所述的铁电或顺电材料。从原理上讲，利用由气相(也即CVD处理)、尤其是-在有金属参与的情况下-由金属有机的CVD(MOCVD)处理所形成的蒸镀可以满足该要求。在过去不久曾鉴别和评价过上述材料的母体。对于顺电BST，这譬如是可以在氧化空气中被热活化地进行淀积的Ti(ipro)2(thd本文档来自技高网...

【技术保护点】
通过气相蒸镀（ＣＶＤ）在基片（３；２３）上制造晶体固体层的方法，其特征在于：－除了包含有需蒸镀固体层元素的原始气体（Ｐ）之外，还向反应室导入至少一种助剂（Ｈ），－如此来构造所述的助剂（Ｈ），使得其包含有具备偶极矩的分子，且这些分 子具有如下特性，即它们在淀积处理期间可以利用垂直于基片表面的偶极矩而短时地积聚该基片表面上，以便由此预给定所述固体层的晶体结构。

【技术特征摘要】
DE 2000-8-24 10041698.51.通过气相蒸镀(CVD)在基片(3；23)上制造晶体固体层的方法，其特征在于-除了包含有需蒸镀固体层元素的原始气体(P)之外，还向反应室导入至少一种助剂(H)，-如此来构造所述的助剂(H)，使得其包含有具备偶极矩的分子，且这些分子具有如下特性，即它们在淀积处理期间可以利用垂直于基片表面的偶极矩而短时地积聚该基片表面上，以便由此预给定所述固体层的晶体结构。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于-从诸如储备容器等外部供给源中输入所述的助剂(H)。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于-所述的助剂(H)主要由从所述反应室(1；21)中抽取的气相淀积反应产物组成。4.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于-所述的固体层为尤其具有钙钛矿结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：A凯施，A施皮策尔，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]