改进的集成电路电容器制造方法技术

本发明专利技术提出了一种改进的集成电路电容器（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）制造方法，特别是动态随机存储器（ｄｙｎａｍｉｃ　　ｒａｎｄｏｍ　　ａｃｃｅｓｓ　　ｍｅｍｏｒｙ；ＤＲＡＭ）中的电容器（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）制造方法。在无掩膜曝光后，使用深蚀刻（Ｅｔｃｈ　　Ｂａｃｋ）完成单元隔离，不需要有化学机械研磨（ＣＭＰ）的过程。从而避免了化学机械研磨ＣＭＰ的缺点，例如费用昂贵、产生刮痕和引起单元间相通等。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电容器(capacitor)的制造方法，尤其涉及在集成电路工艺中，动态随机存储器(dynamic random access memory；DRAM)的电容器(capacitor)制造方法。
技术介绍
电容器是DRAM单元用来存储信号的核心部分，电容器能储存的电荷越多，读出放大器在读取资料时受到杂质影响比如α粒子引起的软错误(soft errors)将大大降低，而且可降低再次补充的频率。一般增加电容器储存电荷能力的方法为1、增加电介质的介电常数，增加电容器单位面积储存电荷数；2、减小介电层的厚度；3、增加电容器面积使储存在整个电容器中的电荷数增加。典型的动态随机存储器(dynamic random access memory；DRAM)是在半导体的衬底上制造金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和电容器(capacitor)，利用接触窗连接电容器的电荷存储电极(storage node)和金属氧化物场效应晶体管的源极作电接触，通过电容器和源极区的电接触，数位资料信息储存在电容器并通过金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)，位线(bit line)和字线(word本文档来自技高网...

【技术保护点】
改进的集成电路电容器的制造方法，包括以下步骤：步骤１，在位线（ＢｉｔＬｉｎｅ）之间加入连接电容器到源区（ＣｅｌｌＳｏｕｒｃｅ）的拴塞（ｐｌｕｇ），使其连接到源区；步骤２，先淀积电容器的氧化物层，然后进行光刻、腐蚀形成 电容器结构；步骤３，淀积聚合体（Ｐｏｌｙ）和ＨＳＧ（ＨａｌｆＳｐｈｅｒｅＧｒａｉｎ）小球作为电容器的底部电极（ＢｏｔｔｏｍＥｌｅｃｔｒｏｄｅ），再覆盖用于单元隔离的光阻（ＰＲ）；其特征是，还包括：步骤４， 无掩膜曝光，接着光刻胶显影用以深蚀刻（ＥｔｃｈＢａｃｋ）底部...

【技术特征摘要】
1.改进的集成电路电容器的制造方法，包括以下步骤步骤1，在位线(Bit Line)之间加入连接电容器到源区(Cell Source)的拴塞(plug)，使其连接到源区；步骤2，先淀积电容器的氧化物层，然后进行光刻、腐蚀形成电容器结构；步骤3，淀积聚合体(Poly)和HSG(Half Sphere Grain)小球作为电容器的底部电极(Bottom Electrode)，再覆盖用于单元隔离的光阻(PR)；其特征是，还包括步骤4，无掩膜曝光，接着光刻胶显影用以深蚀刻(Etch Back)底部电极；步骤5，对底部电极(bott...

【专利技术属性】
技术研发人员：金正起，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]