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本发明提出了一种改进的集成电路电容器（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）制造方法，特别是动态随机存储器（ｄｙｎａｍｉｃ　　ｒａｎｄｏｍ　　ａｃｃｅｓｓ　　ｍｅｍｏｒｙ；ＤＲＡＭ）中的电容器（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）制造方法。在无掩膜曝光后，使用深蚀刻（Ｅｔｃ...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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