三维叠加型多芯片模块制造技术

本发明专利技术是关于三维叠加型多芯片模块，能将多芯片模块最小化的三维叠加型多芯片模块，这种三维叠加型多芯片模块由以下几个部分构成：形成空腔振荡器的面板；安装在空腔振荡器内的下层芯片；在下层芯片上叠加的上层芯片。本发明专利技术可以克服由原来二维型芯片安装引起的小型化界限，可以大大减小多芯片模块的体积，从而实现其体积的最小化。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于多芯片模块(Multi Chip ModuleMCM)的技术。尤其是关于能将多芯片模块最小化的一种三维叠加型多芯片模块。(2)
技术介绍
半体导封装有树脂密封封装、Tape Carrier Package封装、玻璃密封封装、金属密封封装等很多种类。另外，半导体封装根据安装方法的不同分为插入型和表面安装型。在插入型半导体封装中具有代表性的封装方式有双列直插式封装(Dual In-line PackageDIP)、引脚网络阵列封装(Pin GridArrayPGA)等，在表面安装型半导体封装中具有代表性的封装方式有塑料方型扁平式封装(Quad Falt PackageQFP)、塑料有引线芯片载体封装(PlasticLeaded Chip CarrierPLCC)、陶瓷有引线芯片载体封装(Ceramic LeadedChipCarrierCLCC)、球状矩阵排列封装(Ball Grid ArrayBGA)等。另外，如图1所示，多芯片模块是安装了2个以上的半导体芯片的包。这个多芯片模块具有能增加存储器容量、提高速度等优越的性能。能降低应用产品的费用。众所周知，这种多芯片模块本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维叠加型多芯片模块，其特征在于包括：形成空腔振荡器的面板；安装在所述的空腔振荡器内的下层芯片；在所述的下层芯片上叠加的上层芯片。

【技术特征摘要】
1.一种三维叠加型多芯片模块，其特征在于包括形成空腔振荡器的面板；安装在所述的空腔振荡器内的下层芯片；在所述的下层芯片上叠加的上层芯片。2.如权利要求1所述的三维叠加型多芯片模块，其特征在于还包括在所述的面板的前面形成的第1垫片；在所述的空腔振荡器上形成的第2垫片；在所述的面板的背面形成的第3垫片。3.如权利要求2所述的三维叠加型多芯片模块，其特征在于所述的下层芯片通过碰撞器与所述的第2垫片相连接。4.如权利要求2所述的三维叠加型多芯片模块，其特征在于所述的上层芯片通过电线连接与所述的第1垫片相连。...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐炳华，
申请(专利权)人：南京LG同创彩色显示系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]