功率半导体模块制造技术

根据本发明专利技术的功率半导体模块包括：将功率半导体器件包容其中的模块封装件２Ａ，以及形如框架、且设置在模块２Ａ周围的磁芯６ａ，从而磁芯６ａ围绕诸如ＩＧＢＴ的功率半导体器件的芯片８；或者是根据本发明专利技术的功率半导体模块包括将功率半导体包容其中的模块封装件２Ｂ，以及形如框架、且内置于模块封装件２Ｂ中的磁芯６ｅ，从而磁芯６ｅ的外围面和模块封装件２Ｂ的侧面形成所述功率半导体模块的平整侧面。根据本发明专利技术的功率半导体模块易于将磁芯替换掉，并且有助于减小其尺寸，简化结构以及制造工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及能够导通和断开结合其中的功率半导体器件以转换电功率的功率半导体模块。具体地，本专利技术涉及减少开关功率半导体器件所引起的切换损耗的技术。
技术介绍
用于驱动AC马达(所谓的逆变器)的装置、非间断电源(UPS)以及电源变流器导通和断开结合在其中的功率半导体器件，以执行电功率转换。图13是包含有功率半导体模块的常规电功率转换器的电路框图。在图13中，示出了DC电源1、功率半导体模块2U、2V和2W、作为负载的马达3、以及用于驱动各自相位的功率半导体模块2U、2V和2W的驱动电路4。每一功率半导体模块2U、2V和2W都包括两个串联的绝缘选通双极晶体管(下文称之为“IGBT”)以及两个与各IGBT反向并行连接的自由旋转二极管。每一相位的功率半导体模块2U、2V和2W交替地导通和断开上电极臂的各个IGBT和下电极臂的各个IGBT，以将来自DC电源1的AC电源转换成AC电源，并且将所转换的AC电源提供给马达3。已知脉宽调制(下文称之为“PWM”)是用于控制IGBT切换的方法之一。包含有比较器5c的控制电路5置于功率半导体模块2U、2V和2W的外部，用于执行PMW控制。比较器5c本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率半导体模块，包括：将功率半导体器件包容其中的模块封装件；以及按框架成形的磁芯，所述磁芯设置成围绕所述模块封装件，从而所述磁芯围绕在所述功率半导体器件周围。

【技术特征摘要】
JP 2005-6-20 2005-1788601.一种功率半导体模块，包括将功率半导体器件包容其中的模块封装件；以及按框架成形的磁芯，所述磁芯设置成围绕所述模块封装件，从而所述磁芯围绕在所述功率半导体器件周围。2.一种功率半导体模块，包括将功率半导体器件包容其中的模块封装件；以及按框架成形的磁芯，所述磁芯内置于所述模块封装件，从而所述磁芯的外围面和所述模块封装件的侧面形成所述功率半导体器件的平整侧面。3.一种功率半导体模块，包括将功率半导体器件包容其中的模块封装件；以及按框架成形的磁芯，所述磁芯通过涂敷磁粉来设置，从而所述磁芯围绕在所述功...

【专利技术属性】
技术研发人员：田久保拡，
申请(专利权)人：富士电机系统株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]