【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成装置，特别涉及包括静电保护电路的半导体集成装置。
技术介绍
在半导体集成电路(IC)中，要求对由静电放电(ESDelectrostaticdischarge)向半导体集成电路的I/O焊盘(输入输出焊盘)施加的冲击电压和冲击电流具有ESD抗性。因此，一般是静电保护电路与I/O焊盘连接。随着半导体集成电路的细微化，要求这种静电保护电路放电能力大，触发电压低。专利文献1披露了满足这些条件的静电保护电路的例子。图4是表示现有静电保护电路的主要部分的构造的剖视图。在p型半导体衬底100上形成了n型阱101和与n型阱101接近的p型阱102。并且，在n型阱101的表面上形成了高浓度n型区域(n+区域)103和高浓度p型区域(p+区域)104，在p型阱102的表面上形成了高浓度n型区域105。元件分离绝缘膜106a、106b、106c、106d是用于在元件间进行绝缘分离的绝缘膜，特别是，元件分离绝缘膜106b用于分离高浓度n型区域103和高浓度p型区域104，元件分离绝缘膜106c用于分离高浓度n型区域105和高浓度p型区域104。高浓度n型区域103...
【技术保护点】
一种半导体集成装置，包括在半导体衬底上构成的静电保护电路，其特征在于，所述静电保护电路具有：在所述半导体衬底的表面上形成的第１导电型阱；在所述半导体衬底的表面上夹介所述第１导电型阱，分别与其相对、接近而形成的第１第２ 导电型阱及第２第２导电型阱；在所述第１第２导电型阱的表面上形成的第１高浓度第１导电型区域；在所述第２第２导电型阱的表面上形成的第２高浓度第１导电型区域；与所述第１高浓度第１导电型区域相对，在所述第１导电型阱的表面上形 成的第１高浓度第２导电型区域；与所述第２高浓度第１导...
【技术特征摘要】
JP 2004-10-18 2004-3028301.一种半导体集成装置，包括在半导体衬底上构成的静电保护电路，其特征在于，所述静电保护电路具有在所述半导体衬底的表面上形成的第1导电型阱；在所述半导体衬底的表面上夹介所述第1导电型阱，分别与其相对、接近而形成的第1第2导电型阱及第2第2导电型阱；在所述第1第2导电型阱的表面上形成的第1高浓度第1导电型区域；在所述第2第2导电型阱的表面上形成的第2高浓度第1导电型区域；与所述第1高浓度第1导电型区域相对，在所述第1导电型阱的表面上形成的第1高浓度第2导电型区域；与所述第2高浓度第1导电型区域相对，在所述第1导电型阱的表面上形成的第2高浓度第2导电型区域；被所述第1高浓度第2导电型区域和所述第2高浓度第2导电型区域夹着，在所述第1导电型阱的表面上形成的第3高浓度第1导电型区域；以及具有2端子，在该2端子间施加一定值以上的电压的话，电流就会流通的触发元件，所述第1高浓度第2导电型区域和所述第2高浓度第2导电型区域与I/O焊盘连接，所述触发元件的一方端子通过布线而与所述第3高浓度第1导电型区域连接，并且另一方端子与基准电压端子连接，所述第1高浓度第1导电型区域和所述第2高浓度第1导电型区域与所述基准电压端子连接。2.根据权利要求1所述的半导体集成装置，其特征在于，在所述第1导电型阱中，在所述第1高浓度第2导电型区域和所述第2高浓度第2导电型区域之间，只有所述第3高浓度第1导电型区域存在。3.根据权利要求1所述的半导体集成装置，其特征在于，所述第1高浓度第1导电型区域、所述第2高浓度第1导电型区域、所述第1高浓度第2导电型区域和所述第2高浓度第2导电型区域各自的形状从与所述半导体衬底的表面垂直的方向看去是矩形，各矩形的较长方向平行。4.根据权利要求3所述的半导体集成装置，其特征在于，所述各矩形的较长方向的长度大体上相同。5.根据权利要求4所述的半导体集成装置，其特征在于，所述较长方向的长度为10μm～50μm。6.根据权利要求3所述的半导体集成装置，其特征在于，使得所述第3高浓度第1导电型区域的形状的较长方向与所述各矩形的较长方向平行而形成了所述第3高浓度第1导电型区域。7.根据权利要求6所述的半导体集成装置，其特征在于，在所述第3高浓度第1导电型区域的较长方向的两端，在所述触发元件的一方设有用于布线的连接区域。8.根据权利要求1～7中任意一项所述的半导体集成装置，其特征在于，以所述第3高浓度第1导电型区域为中心，与所述第2高浓度第2导电型区域对称而构成了所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：森下泰之，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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