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一种可控硅整流器型ＥＳＤ保护元件，抑制了电流密度的偏在，使得静电保护电路的面积更小。在半导体衬底的表面上形成了ｎ型阱（１１）和夹隔ｎ型阱（１１）而分别与其相对、接近的ｐ型阱（１２ａ、１２ｂ）。还有，在ｐ型阱（１２ａ）的表面上形成了高浓度ｎ型...
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