激光加工装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种激光加工装置，具有保持被加工物的卡盘台、对保持在卡盘台上的被加工物照射激光光束的激光光束照射部件，卡盘台由本体和配置在上述本体的上表面的被加工物保持部件构成，被加工物保持部件由对具有预定波长的激光光束具有透射性的材料形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种对半导体晶片等被加工物实施激光加工的激光加工装置。
技术介绍
在半导体器件制造工序中，大致圆板形状的半导体晶片的表面由排列成网格状的被称为“道”(street)的预定分割线划分为多个区域，在所划分的区域形成IC、LSI等电路。然后，通过沿预定分割线切断半导体晶片，将形成了电路的区域分割开，制做成一个个半导体芯片。另外，通过沿预定分割线切断在蓝宝石衬底的表面层叠了氮化镓类化合物半导体等的光学器件晶片，分割成一个个发光二极管、激光二极管等光学器件，它们被广泛地应用于电气设备中。上述沿预定分割线对半导体晶片或光学器件晶片等进行的切断，通常由被称为划片机(dicer)的切削装置进行。该切削装置具有保持半导体晶片或光学器件晶片等被加工物的卡盘台(chuck table)、用于切削保持在该卡盘台上的被加工物的切削部件、以及使卡盘台与切削部件相对地移动的切削进给部件。切削部件包括主轴(spindle)单元，该主轴单元具有旋转主轴和对安装在该旋转主轴上的切削刀(blade)及旋转主轴进行旋转驱动的驱动机构。切削刀由圆盘状的基座和安装在该基座的侧面外周部的环状的切削刃构成，切削刃是通过电铸使例如粒径3μm左右的金刚石磨粒固定而形成的。但是，由于蓝宝石衬底、碳化硅衬底等的莫氏(Mohs)硬度高，因此采用上述切削刀进行的切断必定不容易。而且，因为切削刀具有30～50μm左右的厚度，所以作为划分器件的预定分割线，其宽度需要100μm左右。因此，存在晶片上的预定分割线所占的面积比率变大、形成器件的有效面积变小这样的问题。而且，由于边提供切削液边实施采用切削刀进行的切断，因此存在混入了切削屑的废液附着在晶片的表面而造成污染这样的问题。另一方面，近年来，作为将硅晶片、砷化镓晶片、氧化铝陶瓷晶片等分割为一个个芯片的方法，在日本特开平10-305420号公报中公开了一种技术，沿着晶片上形成的预定分割线照射相对于晶片具有吸收性的例如波长355nm的脉冲激光光束，沿预定分割线形成激光加工槽，由此分割晶片。另外，近年来，为了提高IC、LSI等电路的处理能力，出现了在硅晶片这样的半导体衬底的表面层叠低介电常数绝缘体覆膜(Low-k膜)的方式的半导体晶片，该低介电常数绝缘体覆膜由SiOF、BSG(SiOB)等无机物类膜或聚酰亚胺(polyimide)类、聚对亚苯基二甲基(parylene)类等聚合物(polymer)膜、即有机物类膜构成。但是，由于Low-k膜是象云母那样层叠了多层(5～15层)，并且非常脆，因此用切削刀沿预定分割线切削时，存在Low-k膜剥离、该剥离到达电路给半导体芯片带来致命的损伤这样的问题。为了解决上述问题，日本特开2003-320466号公报公开了对在半导体晶片的预定分割线上形成的Low-k膜照射激光光束来除去Low-k膜，用切削刀沿除去了Low-k膜的预定分割线进行切削的加工装置。在象上述那样将晶片分割成一个个芯片时，为了容易地进行已分割为一个个芯片的晶片的处理，在晶片的背面粘贴由聚烯烃(polyolefin)等形成的划片膜(dicing tape)。使划片膜侧在下地将象这样粘贴了划片膜的晶片保持在激光加工装置的卡盘台上，从晶片的表面侧(上表面侧)照射激光光束，沿在晶片上形成的预定分割线形成激光加工槽。这样，当在晶片上形成的激光加工槽到达晶片的背面(下表面)时，激光光束将透射(透过)划片膜到达卡盘台的保持部件。但是，由于卡盘台的保持部件是由多孔性的陶瓷或金属形成的，因此当激光光束到达其上表面时，将吸收激光光束而发热，故存在使划片膜熔化而损坏这样的问题。另外，还存在熔化了的一部分划片膜附着在卡盘台的保持部件上而污染卡盘台，或不能将晶片从卡盘台上取下来这样的问题。另外，为了象上述那样对在半导体晶片的预定分割线上形成的Low-k膜照射激光光束来除去Low-k膜，在将半导体晶片保持在卡盘台上的状态下，边照射激光光束边使卡盘台在加工进给方向移动。但是，当超过半导体晶片的外周边缘照射激光光束时，该激光光束将透射粘贴在半导体晶片背面的划片膜到达卡盘台的保持部件，从而产生上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供具有即使照射激光光束也能抑制发热的卡盘台的激光加工装置。为了达到上述目的，本专利技术提供一种激光加工装置，上述激光加工装置具有保持被加工物的卡盘台、对保持在上述卡盘台上的被加工物照射激光光束的激光光束照射部件、以及使上述卡盘台与上述激光光束照射部件相对地进行加工进给的加工进给部件，其中，上述卡盘台由本体和配置在上述本体的上表面的被加工物保持部件构成，上述被加工物保持部件由对具有预定波长的激光光束具有透射性的材料形成。上述卡盘台由在本体和上述被加工物保持部件之间配置了电极的静电卡盘台构成。上述激光光束照射部件照射的激光光束的波长为200～1300nm，上述被加工物保持部件由石英玻璃形成。被加工物保持部件是用由石英玻璃泡沫体构成的多孔质材料形成的。另外，被加工物保持部件是用由石英玻璃构成的板材形成的。由石英玻璃构成的板材具有连通上表面和下表面的多个吸附孔。上述被加工物保持部件的上表面或下表面的至少一面形成为粗糙面。本专利技术的激光加工装置，卡盘台的保持部件由对具有预定波长的激光光束具有透射性的材料形成，因此，即使激光光束透射粘贴在被加工物上的划片膜而到达保持部件，激光光束也不会被保持部件的表面吸收。因此，能抑制保持部件的发热，划片膜不会熔化。附图说明图1是按照本专利技术构成的激光加工装置的立体图。图2是图1所示的激光加工装置所装备的卡盘台的主要部分的立体图。图3是图2所示的卡盘台的剖视图。图4是表示构成图2所示的卡盘台的保持部件的另一实施方式的立体图。图5是图4所示的保持部件的剖面放大图。图6是简略地表示图1所示的激光加工装置所装备的激光光束照射部件的结构的方框图。图7是用于说明从图6所示的激光光束照射部件照射的激光光束的聚光光点直径的简略图。图8是作为被加工物的半导体晶片的立体图。图9是表示将图8所示的半导体晶片粘贴在已装在环状的划片框架上的划片膜上后的状态的立体图。图10的(a)和(b)是说明由图1所示的激光加工装置实施的激光光束照射步骤的图。图11是实施了激光光束照射步骤后的半导体晶片的剖面放大图。图12是表示图1所示的激光加工装置所装备的卡盘台的另一实施方式的主要部分的立体图。图13是图12所示的卡盘台的剖视图。图14是表示图1所示的激光加工装置所装备的卡盘台的又一实施方式的剖视图。图15是使用图12至图14所示的卡盘台实施激光光束照射步骤后的半导体晶片的剖面放大图。具体实施例方式以下，参照附图进一步详细地说明按照本专利技术构成的激光加工装置的优选实施方式。图1中示出了按照本专利技术构成的激光加工装置的立体图。图1所示的激光加工装置具有静止基座2、在用箭头X表示的加工进给方向可移动地配置在该静止基座2上且保持被加工物的卡盘台机构3、在与用箭头X表示的方向成直角的用箭头Y表示的分度进给方向可移动地配置在静止基座2上的激光光束照射单元支撑机构4、以及在用箭头Z表示的方向可移动地配置在该激光光束照射单元支撑机构4上的激光光束照射单元5。上述卡盘台机构3具有沿用箭头X表示的加工进给方向平行地配置在静止基座2上的一对导轨本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光加工装置，具有保持被加工物的卡盘台、对保持在上述卡盘台上的被加工物照射激光光束的激光光束照射部件、以及使上述卡盘台与上述激光光束照射部件相对地进行加工进给的加工进给部件；其特征在于：上述卡盘台由本体和配置在上述本体的上表面的被加工物保持部件构成，上述被加工物保持部件由对具有预定波长的激光光束具有透射性的材料形成。

【技术特征摘要】
JP 2005-1-26 017815/2005;JP 2005-1-27 019915/20051.一种激光加工装置，具有保持被加工物的卡盘台、对保持在上述卡盘台上的被加工物照射激光光束的激光光束照射部件、以及使上述卡盘台与上述激光光束照射部件相对地进行加工进给的加工进给部件；其特征在于上述卡盘台由本体和配置在上述本体的上表面的被加工物保持部件构成，上述被加工物保持部件由对具有预定波长的激光光束具有透射性的材料形成。2.根据权利要求1所述的激光加工装置，其特征在于上述卡盘台由在上述本体和上述被加工物保持部件...

【专利技术属性】
技术研发人员：武田升，森数洋司，源田悟史，森重幸雄，
申请(专利权)人：株式会社迪斯科，
类型：发明
国别省市：JP[]