激光加工用粘合片及激光加工方法技术

本发明专利技术提供一种激光加工用粘合片和激光加工方法，其在利用激光对被加工物进行激光加工时，可防止基材和吸附台的熔接、生产效率良好且易于进行被加工物的激光加工。本发明专利技术的激光加工用粘合片，其特征在于，其为在利用波长为紫外光区域的激光或者能够进行经由多光子吸收过程的紫外光区域的光吸收的激光对被加工物进行激光加工时使用的激光加工用粘合片，其中，具有基材和设于该基材的一个面上的粘合剂层，前述基材的另一个面的熔点为８０℃以上，且对前述另一个面照射前述激光时的蚀刻率（蚀刻速度／能量密度）为０．１［（μｍ／ｐｕｌｓｅ）／（Ｊ／ｃｍ↑［２］）］以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种激光加工用粘合片，其在利用波长为紫外 光区域的激光或者能够进行经由多光子吸收过程的紫外光区域 的光吸收的激光对被加工物进行激光加工时使用。另外，本发 明还涉及使用激光对例如各种片材材料、电路基板、半导体晶 片、玻璃基板、陶瓷基板、金属基板、半导体激光等的发光或受光元件基板、MEMS基板、半导体封装体、布、皮或纸等被 加工物进ff例如截断、打孔、作记号、沟加工、划线加工或^f务 边加工等形状加工的激光加工方法。
技术介绍
随着最近的电和电子仪器的小型化等，部件的小型化和高 精细化正在发展。因此，各种材料的截断加工也要求高精细和 高精度化。特别是，在强烈要求小型化和高密度化的半导体领 域中，近年来，热损害少、能够进行高精细加工的使用激光的 半导体晶片的加工方法备受关注。作为使用了激光的半导体晶片(被加工物)的加工方法， 例如有将进行了各种电路形成和表面处理的半导体晶片固定在 切割片材上，并利用激光对该半导体进行切割，从而形成半导 体芯片的方法(例如专利文献l )。另外，作为使用了激光的半 导体晶片的截断加工中所使用的切割片材，提出了由含有支撑 片材的基材和形成于该基材表面的粘合剂层构成的、可利用激 光截断粘合剂层、但基材薄膜不会被截断的切割片材(例如专 利文献2)。专利文献l:日本特开2004-79746号7>净艮专利文献2:日本特开2002-343747号7^才艮
技术实现思路
但是，当在激光加工中使用现有的切割片材时，有激光透 过切割片材，使基材的未设有粘合剂层的一侧热熔接或者改性 的情况。结果，具有放置切割片材的吸附台和基材熔接、切割 后的半导体芯片无法搬送的问题。本专利技术鉴于前述现有问题而完成，其目的在于，提供在利 用激光对被加工物进行激光加工时，能够防止基材和吸附台的 熔接、生产效率良好且易于进行被加工物的激光加工的激光加 工用粘合片及激光加工方法。本申请专利技术人等为了解决前述现有问题而对激光加工用粘 合片和激光加工方法进行了研究。结果发现，着眼于激光加工 用粘合片中的基材的未设置粘合剂层的面的物性，并通过采用以下技术方案而能够实现前述目的，从而完成了本专利技术。即，为了解决前述课题，本专利技术的激光加工用粘合片，其 特征在于，其为在利用波长为紫外光区域的激光或者能够进行 经由多光子吸收过程的紫外光区域的光吸收的激光对被加工物 进行激光加工时使用的激光加工用粘合片，其中，具有基材和 设于该基材的一个面上的粘合剂层，前述基材的另 一个面的熔 点为80。C以上、且对前述另 一个面照射前述激光时的蚀刻率(蚀 刻速度/能量密度)为O.l以下。根据前述技术方案，通过使基材的未设有粘合剂层的面(背 面)的熔点为80。C以上，即便在激光透过激光加工用粘合片时， 也可抑制基材的背面由于该热引起的热熔接。另外，由于使对 基材的背面侧照射前述激光时的蚀刻率为0.1 以下，因此还可以抑制基材的背面由于激光而改性。由此，例如可以防止基材熔接在用于放置激光加工用粘合片的 吸附台上，提高制造的成品率、生产效率。另外，没有必要为 了防止基材熔接于吸附台上而减小激光的能量。结果，激光的高功率化成为可能，可提高生产量(throughput)。予以说明，本专利技术中的蚀刻速度是指将波长为紫外光区 域的激光或者能够进行经由多光子吸收过程的紫外光区域的光 吸收的激光在规定条件下照射于基材的未设有粘合剂层的面 时，基材在每l脉冲下被蚀刻的厚度。另外，能量密度是指照 射于基材表面的区域的每单位面积(平方厘米cm2)上，通 过l脉冲投入的激光的能量(焦耳J)。在前述技术方案中，前述基材的吸光系数相对于规定振荡 波长的前述激光为10 ( 1/cm)以下是优选的。基材的吸光系数 相对于规定振荡波长的前述激光为10 ( 1/cm)以下时，可抑制 基材对激光的吸收、难以引起烧蚀的发生。由此，可以防止基 材的烧蚀所导致的基材的过度加热、进一 步防止基材背面的热 熔接。另外，在前述技术方案中，前述基材为层压体，在前述另 一个面侧设有由聚乙烯形成的层是优选的。由聚乙烯形成的层 对激光的蚀刻率极低。因此，通过在基材的背面侧层压由聚乙 烯形成的层，可以使基材的背面更难以加工。另外，由于还抑 制了聚乙烯分解物的发生，因此还可防止基材的背面侧的污染。为了解决前述课题，本专利技术的激光加工方法，其特征在于， 该激光加工方法使用前述激光加工用粘合片，将波长为紫外光 区域的激光或者能够进行经由多光子吸收过程的紫外光区域的 光吸收的激光照射于^f皮加工物，利用烧蚀对该;波加工物进行加 工，该方法包括以下工序在前述,皮加工物上借助前述粘合剂 层粘贴激光加工用粘合片的工序；将至少前述被加工物引起烧蚀的临界值的照射强度以上的前述激光照射于 一皮加工物，对该 -陂加工物进行加工的工序。本专利技术中，由于使用前述激光加工用粘合片，因此可防止 基材的背面由于激光引起的热熔接或者改性。结果，例如能够 防止基材熔接于用于放置激光加工用粘合片的吸附台上，由此 可提高成品率来进行—皮加工物的激光加工。另外，由于使用波长为紫外光区域的激光或者能够进行经 由多光子吸收过程的紫外光区域的光吸收的激光，因此可以不 经由热加工过程，而利用光化学的烧蚀进行加工。由此，没有 边缘部分的热损害，能够更为锐利地加工截断部、开口部，提 高加工精度和可靠性。进而，与红外区域的激光相比较，可以 进行局部的聚光，没有必要采用大的截断宽度。由此，可以进 行利用较以往更为细小的截断宽度的激光加工。进而，本专利技术中，通过使用前述激光加工用粘合片，由于 可防止基材熔接于吸附台上，因此没有必要减小激光的功率。 由此，激光的高功率化成为可能，可提高生产量。前述方法中，前述被加工物为半导体晶片，通过前述激光 的照射可以将前述半导体晶片单片化而形成半导体芯片。本发 明的激光加工方法如前所述，作为粘合片，使用具备用于粘接 固定被加工物的粘合剂层的粘合片。因此，例如在对被加工物 的规定区域进行一次性的截断加工时，加工物(截断片)粘接 固定在粘合剂层上。因此，可防止加工物的脱落，提高处理性。 进而，没有必要采用残留部分未加工部分的所谓防止脱落的方 法。结果，作为被加工物使用半导体晶片时，能抑制发生芯片 飞散并制作半导体芯片。本专利技术通过前述说明的方法起到了以下所述的效果。即，根据本专利技术，基材的未设置粘合剂层的面(背面)的熔点为80。C以上，因此抑制了基材的背面由于激光的热引起的 热熔接。另外，对基材的背面侧照射前述激光时的蚀刻率为 O.l[ ( pm/pulse)/ ( J/cm2 )〗以下，因此还抑制了基材的背面由 于激光引起的改性。由此，例如能够防止基材熔接于用于放置 激光加工用粘合片的吸附台上，提高制造的成品率、生产效率。附图说明图l为用于说明本专利技术实施方式的净皮加工物的激光加工的 截面示意图。图2为用于i兌明前述实施方式的激光加工方法的概略图。 图3为用于i兌明前述实施方式的纟皮加工物的其他激光加工 方法的一既略图。图4为用于i兌明前述实施方式的纟皮加工物的激光加工的截 面示意图。图5为表示半导体晶片的切割方法的例子的概略图。 具体实施例方式参照图1 图4i兌明本专利技术实施方式l的激光加工品的制造 方法。其中，不需要说明的部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光加工用粘合片，其特征在于，其为在利用波长为紫外光区域的激光或者能够进行经由多光子吸收过程的紫外光区域的光吸收的激光对被加工物进行激光加工时使用的激光加工用粘合片，其中，　具有基材和设于该基材的一个面上的粘合剂层，　前述基 材的另一个面的熔点为８０℃以上，且对前述另一个面照射前述激光时的蚀刻率（蚀刻速度／能量密度）为０．１［（μｍ／ｐｕｌｓｅ）／（Ｊ／ｃｍ↑［２］）］以下。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥智一，浅井文辉，东别府优树，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]