具有两种电阻材料层的非易失性存储器件制造技术

本发明专利技术提供具有两种电阻器的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括：下电极；第一电阻层，其形成在所述下电极上且具有两种或更多种电阻特性；第二电阻层，其形成在所述第一电阻层上且具有阈值开关特性；以及上电极，其形成在所述第二电阻层上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有两种电阻材料层的非易失性存储器件，更具体地，涉及利用具有存储开关特性(momery switching characteristic)的电阻材料层和具有阈值开关特性(threshold switching characteristc)的电阻材料层形成的非易失性存储器件。
技术介绍
好的半导体存储器件必须具有高的集成密度，这意味着每单位面积的存储单元的数量大，以及高的运行速度和在低功率条件下的驱动能力。因此，已经进行很多努力来开发这样的半导体器件，并且制造了各种存储器件。通常，半导体存储器件包括连接在电路中的许多存储单元。在作为普通半导体存储器件的动态随机存取存储器件(DRAM)的情况中，单位存储单元通常包括一个开关和一个电容器。DRAM具有高集成密度和高运行速度的优点。然而，当电源被断开时其存储的数据全部丢失。同时，即使电源被断开时也能存储数据的非易失性存储器件的普通示例是闪存器件(flash memory device)。闪存器件具有与易失性存储器件不同的非易失特性，但是与DRAM相比具有低集成密度和低运行速度的缺点。近来，集中研究和开发的非易失性存储器件的种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性半导体存储器件，包括：下电极；第一电阻层，其形成在所述下电极上且具有两种或更多种电阻特性；第二电阻层，其形成在所述第一电阻层上且具有阈值开关特性；以及上电极，其形成在所述第二电阻层上。

【技术特征摘要】
KR 2004-12-21 109268/041.一种非易失性半导体存储器件，包括下电极；第一电阻层，其形成在所述下电极上且具有两种或更多种电阻特性；第二电阻层，其形成在所述第一电阻层上且具有阈值开关特性；以及上电极，其形成在所述第二电阻层上。2.如权利要求1所述的非易失性半导体存储器件，其中所述第一电阻层包括Ni1-xOx、TiO2、HfO、ZrO、ZnO、WO3、CoO、或Nb2O5中的至少一种材料。3.如权利要求1所述的非易失性半导体存储器件，其中所述第二电阻层包括V...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑镛洙，朴允童，柳寅儆，李明宰，徐顺爱，金惠英，安承彦，徐大卫，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]