具有用于控制转换窗的电阻器部件的电阻式存储器件制造技术

本发明专利技术涉及一种具有用于控制转换窗的电阻器部件的电阻式存储器件。本发明专利技术的电阻式存储器件能控制转换窗从而确保其操作可靠性。另外，因为该存储器件通过向各种电阻式存储器件仅额外提供用于控制转换窗的电阻器部件来实现，所以它能够容易地制造且应用于所有电流和电压驱动型电阻式器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体涉及具有用于控制转换窗的电阻器部件的电阻式存储器件，更具体地，涉及一种电阻式存储器件，其额外包括用于控制转换窗的电阻器部件，因此确保足够大的转换窗，产生优良的操作可靠性。
技术介绍
通常，大量的电子存储器件包括双稳元件从而在施加电压时导致从高电阻到低电阻或者从低电阻到高电阻的转换。特别地，作为与电容式存储器件形成对照的概念，电阻式存储器件意味着具有随所施加的电压而变化的电阻且存储与这样的电阻变化对应的数据的存储器。已知硫族化物(chalcogenide)材料、半导体、以及各类型的氧化物和氮化物具有电阻式存储属性。此外，已发现一些有机材料具有电阻式存储属性。尽管电阻式存储器件因为具有高驱动电压和电流、低耐久性、以及低薄膜处理属性(thin film handling property)而是不利的，但是随着近来材料工程技术的迅速发展，上述问题可以被克服。因此，电阻式存储器件作为非易失性的且具有低能耗和高密度的多位操作存储器而受到关注。电阻式存储器件的示例包括相变RAM、有机存储器、氧化物电阻式RAM等。这些存储器件之中，有机存储器由包括下电极、上电极和夹在下和上电极之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电阻式存储器件，包括用于控制转换窗的电阻器部件。

【技术特征摘要】
KR 2005-2-14 11958/05;KR 2005-8-19 76228/051.一种电阻式存储器件，包括用于控制转换窗的电阻器部件。2.如权利要求1所述的存储器件，其中所述用于控制转换窗的电阻器部件串联连接至所述存储器件的外部。3.如权利要求1所述的存储器件，其中所述用于控制转换窗的电阻器部件设置在所述存储器件内。4.如权利要求3所述的存储器件，其中所述存储器件包括顺序布置的下电极、用于控制转换窗的电阻器部件、电阻式存储层、以及上电极。5.如权利要求4所述的存储器件，其中所述存储器件还包括所述用于控制转换...

【专利技术属性】
技术研发人员：周原提，李光熙，李相均，姜润锡，金元柱，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]