【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种相变化存储元件的制造方法，其特征在于，包括有下列步骤：提供一第一介电层，且在该第一介电层中具有一第一电极；在该第一介电层和该第一电极上沉积一相变层；将该相变层刻蚀成一锥形结构，其中该锥形结构的顶端远离该第一电极的部位，该锥形结构的底部靠近该第一电极的部位，且该锥形结构的底部的面积大于该锥形结构的顶端的面积；沉积一第二介电层于该相变层上；平坦化该第二介电层，直至露出该锥形结构的顶端；以及在露出的该锥形结构的该顶端上形成一电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：许宏辉，李乾铭，王文翰，李敏鸿，赵得胜，卓言，陈颐承，陈维恕，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。