半导体装置的制造方法及电子设备的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种具有ＴＦＴ的半导体装置，其能避免在使用液体材料制成的ＴＦＴ栅电极层端部的绝缘击穿和寄生电容增大。其中包括：在基板上间隔配置的第一和第二电极；与第一和第二电极对置且覆盖第一和第二电极各自的至少一部分而配置的栅电极；配置在第一和第二电极与栅电极相互之间的半导体层；以及配置在栅电极与半导体层相互之间的栅极绝缘层，在栅电极与第一和第二电极重叠的区域上形成的栅极绝缘层的膜厚比形成在第一和第二电极之间上形成的栅极绝缘层的膜厚要厚。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有薄膜晶体管(Thin Film TransistorTFT)的半导体装置、电子设备、半导体装置的制造方法和电子设备的制造方法，特别是涉及使用液相工艺制作TFT的改进。
技术介绍
TFT由导电膜、绝缘膜和半导体膜等薄膜构成，在所述的薄膜的形成中利用CVD(Chemical Vapor Deposition即、化学气相沉积)法和溅射法。此外，为了形成薄膜图形，使用抗蚀剂材料形成掩模图形等都需要进行蚀刻。因此，要制造使用了TFT的半导体装置，就需要高价的制造装置。并且，还需要环境措施。因此，研究了使用液体材料的TFT(有机TFT)的制造。例如，在专利文献1中公开了一种分别使用液相工艺，在导电膜上形成导电性材料，在绝缘膜上形成环氧树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等，在半导体膜上形成π共轭系的低分子和高分子的有机半导体材料的方法。专利文献1日本特开2004-63975号公报但是，用液相工艺制作微小面积的TFT很难，结构上栅电极层的端部侧经由栅极绝缘层处于源漏电极上。例如，在用液滴喷出法(喷墨法)等形成了栅电极层的情况下，在其线宽设定为例如最小几十μm时，为了提高TFT的性能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其中，包括：在基板上间隔配置的第一及第二电极，与所述第一及第二电极对置且覆盖所述第一及第二电极的各自至少一部分而配置的栅电极，配置在所述第一及第二电极、与所述栅电极相互之间的半导体层，和　 　配置在所述栅电极和所述半导体层相互之间的栅极绝缘层；并且，在所述栅电极、与所述第一及第二电极相重叠的区域上形成的所述栅极绝缘层的膜厚大于在所述第一及第二电极之间上形成的所述栅极绝缘层的膜厚。

【技术特征摘要】
JP 2005-3-30 2005-1000661.一种半导体装置，其中，包括在基板上间隔配置的第一及第二电极，与所述第一及第二电极对置且覆盖所述第一及第二电极的各自至少一部分而配置的栅电极，配置在所述第一及第二电极、与所述栅电极相互之间的半导体层，和配置在所述栅电极和所述半导体层相互之间的栅极绝缘层；并且，在所述栅电极、与所述第一及第二电极相重叠的区域上形成的所述栅极绝缘层的膜厚大于在所述第一及第二电极之间上形成的所述栅极绝缘层的膜厚。2.一种半导体装置，其中，包括在基板上形成的第一及第二电极，在所述第一及第二电极上覆盖所述第一及第二电极之间而形成的半导体层，在所述半导体层上形成的栅极绝缘层，和在所述绝缘层上形成的栅电极；并且，所述栅电极具有与所述第一及第二电极相重叠的部分，在所述栅电极、与所述第一及第二电极相重叠的区域上形成的所述栅极绝缘层的膜厚大于在所述第一及第二电极之间上形成的所述栅极绝缘层的膜厚。3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，在所述第一及第二电极之间形成的所述半导体层是沟道区域。4.如权利要求1～3中任意一项所述的半导体装置，其中，所述栅极绝缘层的膜厚形成为从在所述第一及第二电极之间上形成的部分向在所述栅电极、与所述第一及第二电极相重叠的区域上形成的部分逐渐增大。5.一种电子设备，其中，具备权利要求1～4中任意一项所述的半导体装置。6.一种半导体装置的制造方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：守谷壮一，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]