薄膜晶体管及其制造方法技术

一种薄膜晶体管，其包括基板、栅极、第一介电层、通道层、源极／漏极与第二介电层。栅极设置于基板上，而第一介电层覆盖住栅极与基板。通道层至少设置于栅极上方的第一介电层上。源极／漏极设置于通道层上，而源极／漏极包括第一阻挡层、导体层与第二阻挡层。第一阻挡层设置于导体层与通道层之间，且第一阻挡层与第二阻挡层包覆导体层。第二介电层覆盖住源极／漏极。基于上述，本发明专利技术的薄膜晶体管具有较为稳定的电性质量。此外，本发明专利技术亦披露一种薄膜晶体管的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种主动元件的制造方法，且特别是涉及薄膜晶体管的制造方法。
技术介绍
现今社会多媒体技术相当发达，多半受益于半导体元件或显示装置的进步。就显示器而言，具有高画面质量、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，TFT-LCD)已逐渐成为市场的主流，使得薄膜晶体管被广泛的运用在薄膜晶体管液晶显示器中。图1为公知薄膜晶体管的剖面图。请参照图1，公知薄膜晶体管100包括基板110、栅极120、介电层130、通道层140、欧姆接触层142、源/漏极150与介电层160。其中，栅极120设置于基板110上，而介电层130覆盖住栅极120。此外，通道层140设置于栅极120上方区域的介电层130上。欧姆接触层142设置于通道层140上，而源/漏极150设置于通道层140上。另外，介电层160设置于基板上，并覆盖住源/漏极150。更详细地说，源/漏极150由阻挡层152、导体层154与阻挡层156所构成。其中，阻挡层152设置于导体层154与欧姆接触层142之间，而阻挡层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征是包括：基板；栅极，设置于该基板上；第一介电层，覆盖住该栅极与该基板；通道层，至少设置于该栅极上方的该第一介电层上；源极／漏极，设置于该通道层上，而该源极／漏极包括第一阻挡层、第 一导体层与第二阻挡层，其中该第一阻挡层设置于该第一导体层与该通道层之间，且该第一阻挡层与该第二阻挡层包覆该第一导体层；以及第二介电层，覆盖住该源极／漏极。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征是包括基板；栅极，设置于该基板上；第一介电层，覆盖住该栅极与该基板；通道层，至少设置于该栅极上方的该第一介电层上；源极/漏极，设置于该通道层上，而该源极/漏极包括第一阻挡层、第一导体层与第二阻挡层，其中该第一阻挡层设置于该第一导体层与该通道层之间，且该第一阻挡层与该第二阻挡层包覆该第一导体层；以及第二介电层，覆盖住该源极/漏极。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征是该栅极包括第三阻挡层，设置于该基板上；第二导体层，设置于该第三阻挡层上；以及第四阻挡层，覆盖住该第二导体层，且该第三阻挡层与该第四阻挡层包覆该第二导体层。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征是该第三阻挡层与该第四阻挡层的材质包括钼、铬、钛、钽或其氮化物、钛钨合金、硅化物金属。4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征是该二导体层的材质包括铜、铝、金、银或镍。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征是还包括欧姆接触层，设置于该通道层与该源极/漏极之间。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征是该第一阻挡层与该第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴泉毅，赖钦诠，官永佳，戴伟仁，
申请(专利权)人：中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]