薄膜晶体管及其制造方法技术

一种薄膜晶体管，包括栅极、栅绝缘层、通道层、源极、漏极以及欧姆接触层。其中的栅绝缘层会覆盖栅极；通道层是位于栅极上方的栅绝缘层上；源极与漏极是设置于通道层上；欧姆接触层是设置在通道层与源极及漏极之间，而此欧姆接触层是由多层膜层所构成。依据上述，本发明专利技术所披露的薄膜晶体管的欧姆接触层是由多层膜层所构成，因此当此薄膜晶体管处于关闭状态时的漏电流会比较小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，且特别涉及一种，其于关闭状态时具有较低的漏电流(current leakage)。
技术介绍
近年来，由于半导体工艺技术的进步，薄膜晶体管的制造越趋容易、快速。薄膜晶体管的应用广泛，例如计算机芯片、手机芯片或是薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystal displayer，TFT LCD)等。以薄膜晶体管液晶显示器为例，薄膜晶体管在其中的用途是当作储存电容(storage capacitor)充电或放电的开关。图1为公知薄膜晶体管的结构剖面图。公知薄膜晶体管100是形成在玻璃基板110上，其包括栅极120、绝缘层130、非晶硅层140、N型掺杂非晶硅层150、源极160以及漏极170。栅极120的材料为合金，用以开启或关闭非晶硅层140中的电子通道。绝缘层130覆盖住栅极120，材料为氮化硅，可以避免栅极120与非晶硅层140电接触。非晶硅层140位于绝缘层130上，可提供电子传输的通道。N型掺杂非晶硅层150覆盖在部分的非晶硅层140上，其作用是当作欧姆接触层以降低源极160、漏极170与非晶硅层140间的阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征是包括：栅极；栅绝缘层，覆盖该栅极；通道层，位于该栅极上方的该栅绝缘层上；源极与漏极，设置于该通道层上；以及欧姆接触层，设置在该通道层与该源极及该漏极之间，其中该欧姆接触层是由多 层膜层所构成。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征是包括栅极；栅绝缘层，覆盖该栅极；通道层，位于该栅极上方的该栅绝缘层上；源极与漏极，设置于该通道层上；以及欧姆接触层，设置在该通道层与该源极及该漏极之间，其中该欧姆接触层是由多层膜层所构成。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征是该欧姆接触层是由多层的N型掺杂非晶硅层所构成。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征是该通道层的材质包括非晶硅。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征是该栅极的材质包括金属。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征是该源极与该漏极的材质包括金属。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征是该栅绝缘层的材质选自氧化硅、氮化硅及其组合中之一种。7.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征是包括在基板上形成栅极；在该基板上形成栅绝缘层，覆盖该栅极；在该栅极上方的该栅绝缘层上形成通道层；在该通道层上形成欧姆接触层，其中该欧姆接触层是由多层膜层所构成；以及在该欧姆接触层上形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：许民庆，莫云龙，
申请(专利权)人：中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]