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半导体装置的制造方法及电子设备的制造方法制造方法及图纸
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文档序号:3191973
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本发明提供一种具有TFT的半导体装置,其能避免在使用液体材料制成的TFT栅电极层端部的绝缘击穿和寄生电容增大。其中包括:在基板上间隔配置的第一和第二电极;与第一和第二电极对置且覆盖第一和第二电极各自的至少一部分而配置的栅电极;配置在第一和第...
该专利属于精工爱普生株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过精工爱普生株式会社授权不得商用。
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