【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体元件及其形成方法,且特别涉及一种。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)一般包括栅极、栅绝缘层、通道层与源极/漏极,其通常在显示器中,例如液晶显示器(LCD),作为开关元件用。通常,薄膜晶体管的形成方法是在基板上依次形成栅极、栅绝缘层、α-Si通道层与源极/漏极。栅极由铝、铬、钨、钽、钛等单一金属层或由多层金属层所组成。然而,当以单一金属层的上述金属形成栅极时,膜层表面容易被侵蚀,且容易与氧反应而形成金属氧化物,因而导致在后续的蚀刻工艺中无法有效地进行蚀刻。另一方面,当栅极是由多层金属层所组成时,例如为钼(Mo)/铝/钼,可以避免氧化和侵蚀的问题。但是形成多层金属层的工艺必定是较为复杂的。因为此工艺需要超过一个以上的溅镀靶材以及沉积反应室。此外,上述问题也同样会发生在形成源极/漏极的工艺。
技术实现思路
因此,本专利技术提出一种薄膜晶体管,其具有较低接触电阻或线电阻的栅极与源极/漏极。本专利技术另提出一种薄膜晶体管的形成方法,其是使用抵抗氧化和抗侵蚀的材料来形成栅极和(或)源极/漏极。本专利技术提出一种薄膜晶体管,此薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、半导体层以及源极/漏极。栅极设置于基板上,其中,栅极包括至少一层氮化钼铌合金。栅绝缘层形成于基板上以覆盖栅极。半导体层设置于基板上的栅绝缘层上。源极/漏极设置于半导体层上。本专利技术另提出一种薄膜晶体管,此薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、半导体层以及源极/漏极。栅极设置于基板上。栅绝缘层形成于基板上以覆盖栅极。半导体层设置于基板上的栅绝缘层上。源极/漏极设置于半导体层上,其中,源极/漏极包括至少一层 ...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管,其特征在于包括:栅极,设置于基板上,其中该栅极包括至少一层氮化钼铌(Mo-Nb)合金;栅绝缘层,形成于该基板上,以覆盖该栅极;半导体层,设置于该栅极上的该栅绝缘层上;以及源极/漏极,设置于该半 导体层上。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管,其特征在于包括栅极,设置于基板上,其中该栅极包括至少一层氮化钼铌(Mo-Nb)合金;栅绝缘层,形成于该基板上,以覆盖该栅极;半导体层,设置于该栅极上的该栅绝缘层上;以及源极/漏极,设置于该半导体层上。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于该栅极包括钼铌合金层;以及氮化钼铌合金层,设置于该钼铌合金层上。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于该栅极包括第一氮化钼铌合金层;钼铌合金层,设置于该第一氮化钼铌合金层上;以及第二氮化钼铌合金层,设置于该钼铌合金层上。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于该源极/漏极包括至少一层氮化钼铌合金。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管,其特征在于该源极/漏极包括钼铌合金层;以及氮化钼铌合金层,设置于该钼铌合金层上。6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管,其特征在于该源极/漏极包括第一氮化钼铌合金层;钼铌合金层,设置于该第一氮化钼铌合金层上;以及第二氮化钼铌合金层,设置于该钼铌合金层上。7.一种薄膜晶体管,其特征在于包括栅极;栅绝缘层,设置于该基板上,以覆盖该栅极;半导体层,设置于该栅极上的该栅绝缘层上;以及源极/漏极,设置于该半导体层上,其中该源极/漏极包括至少一层氮化钼铌合金。8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管,其特征在于该源极/漏极包括钼铌合金层;以及氮化钼铌合金层,设置于该钼铌合金层上。9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管,其特征在于该源极/漏极包括第一氮化钼铌合金层;钼铌合金层,设置于该第一氮化钼铌合金层上;以及第二氮化钼铌合金层,设置于该钼铌合金层上。10.一种薄膜晶体管形成方法,其特征在于包括于基板上形成栅极,其中该栅极包括至少一层氮化钼铌合金;于该基板上形成栅绝缘层以覆盖该栅极;于该栅绝缘层上形成半导体层;以及于该半导体层上形成源极/漏极。11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管形成方法,其特征在于形成该栅极的步骤包括于该基板上形成钼铌合金层;对该钼铌合金层进行氮化工艺以形成氮化钼铌合金层,其中该氮化工艺是在形成该钼铌合金层之后进行;以及将该氮化钼铌合金层图案化以形成该栅极。12.根据权利要求10所述的薄膜晶体管形成方法,其特征在于形成该栅极的步骤包括于该基板上形成钼铌合金层;对该钼铌合金层进行氮化工艺以形成氮化钼铌合金层,其中该氮化工艺是在沉积该钼铌合金层的时候进行;以及将该氮化钼铌合金层图案化以形成该栅极。13.根据权利要求10所述的薄膜晶体管形成方法,其特征在于形成该栅极的步骤包括于该基板上形成第一钼铌合金层;于该第一钼铌合金层上形成第二钼铌合金层;对该第二钼铌合金层进行氮化工艺以于该第一钼铌合金层上形成氮化钼铌合金层,其中该氮化工艺是在形成该第二钼铌合金层之后进行;以及将该氮化钼铌合金层与该第一钼铌合金层图案化以形成该栅极。14.根据权利要求10所述的薄膜晶体管形成方法,其特征在于形成该栅极的步骤包括于该基板上形成第一钼铌合金层;于该第一钼铌合金层上形成第二钼铌合金层;对该第二钼铌合金层进行氮化工艺以于该第一钼铌合金层上形成氮化钼铌合金层,其中该氮化工艺是在沉积该第二钼铌合金层的时候进行;以及将该氮化钼铌合金层与该第一钼铌合金层图案化以形成该栅极。15.根据权利要求10所述的薄膜晶体管形成方法,其特征在于形成该栅极的步骤包括于该基板上形成第一钼铌合金层;对该第一钼铌合金层进行第一氮化工艺以形成第一氮化钼铌合金层,其中该第一氮化工艺在形成该第一钼铌合金层之后进行,或是在沉积该第一钼铌合金层的时候进行;于该第一氮化钼铌合金层上形成第二钼铌合金层;于该第二钼铌合金层上形成第三钼铌合金层;对该第三钼铌合金层进行第二氮化工艺以于该第二钼铌合金层上形成第二氮化钼铌合金层,其中该第二氮化工艺是在形成该第三钼铌合金层之后进行;以及将该第二氮化钼铌合金层、该第二钼铌合金层与该第一氮化钼铌合金层图案化以形成该栅极。16.根据权利要求10所述的薄膜晶体管形成方法,其特征在于形成该栅极的步骤包括于该基板上形成第一钼铌合金层;对该第一钼铌合金层进行第一氮化工艺以形成第一氮化钼铌合金层,其中该第一氮化工艺是在形成该第一钼铌合金层之后进行,或是在沉积该第一钼铌合金层的时候进行;于该第一氮化钼铌合金层上形成第二钼铌合金层;于该第二钼铌合金层上形成第三钼铌合金层;对该第三钼铌合金层进行第二氮化工艺以于该第二钼铌合金层上形成第二氮化钼铌合金层,其中该第二氮化工艺是在沉积该第三钼铌合金层的时候进行;以及将该第二氮化钼铌合金层、该第二钼铌合金层与该第一氮化钼铌合金层图案化以形成该栅极。17.根据权利要求10所述的薄膜晶体管形成方法,其特征在于形成该源极/漏极的步骤包括于该栅绝缘层上形成钼铌合金层以覆盖该半导体层;对该钼铌合金层进行氮化工艺以形成氮化钼铌合金层,其中该氮化工艺是在形成该钼铌合金层之后进行;以及将该氮化钼铌合金层图案化以形成该源极/漏极。18.根据权利要求10所述的薄膜晶体管形成方法,其特征在于形成该源极/漏极的步骤包括于该栅绝缘层上形成钼铌合金层以覆盖该半导体层;对该钼铌合金层进行氮化工艺以形成氮化钼铌合金层,其中该氮化工艺是在沉积该钼铌合金层的时候进行;以及将该氮化钼铌合金层图案化以形成该源极/漏极。19.根据权利要求10所述的薄膜晶体管形成方法,其特征在于形成该源极/漏极的步骤包括于该栅绝缘层上形成第一钼铌合金...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹文光,许泓译,
申请(专利权)人:中华映管股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。