一种减少等离子损伤的硅片卸载工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种能有效减少等离子损伤的硅片卸载工艺，它是直接通入载气并起辉。本发明专利技术所述的硅片卸载工艺能有效减少对硅片元件造成的等离子损伤，并缩短工艺时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多晶硅刻蚀工艺，具体地涉及一种减小等离子损伤的硅片卸载工艺。
技术介绍
在感应耦合等离子体刻蚀机刻蚀硅片后，硅片要和静电卡盘分离。在刻蚀工艺过程中，会在硅片表面留有残余电荷，使得硅片紧紧吸附在静电卡盘上。所以，要采用硅片卸载工艺将硅片表面的残余电荷释放掉，使得硅片和静电卡盘能够稳定的分离。目前，常规的硅片卸载工艺所使用的载气为氩气，工艺分两步进行，具体为第一步摆阀全开，通入一定流量的氩气，不起辉，保持一定时间；第二步在第一步的基础上，调节控制压力，并起辉。此步只加上电极，并保持一定时间。此工艺使用的电极功率高，易对硅片元件造成等离子损伤；且工艺时间较长，影响产率。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术的目的是提供一种能有效减少等离子损伤且用时少的硅片卸载工艺。(二)技术方案本专利技术所述的硅片卸载工艺，只需一步，即直接通入载气并起辉。载气选自N2、H2中的一种或多种，其中，N2/H2混合气体中N2和H2之间的比例没有特殊要求。本专利技术所述的硅片卸载工艺的工艺参数设置为腔室压力80-200mT，上电极功率50-200W，载气流量50-500sccm，时间1-10s。优选地，工艺参数设置为腔室压力80-100mT，上电极功率50-100W，载气流量100-300sccm，时间3-7s。更优选地，工艺参数设置为腔室压力90mT，上电极功率90W，载气流量200sccm，时间5s。(三)有益效果本专利技术所述的硅片卸载工艺与常规卸载工艺相比，在不同极间氧化层厚度上累积电荷的可能显著降低。而电荷累积可能越大时，跨在氧化层上的电场电流就越容易击穿极间氧化层，对硅片元件就越容易造成损伤。所以，本专利技术所述的硅片卸载工艺能有效减少对腔室部件造成的等离子损伤，并缩短工艺时间。附图说明图1本专利技术所述硅片卸载工艺与常规工艺相比，在不同极间氧化层厚度上累积电荷的可能。图中1、本专利技术所述硅片卸载工艺；2、常规硅片卸载工艺。具体实施例方式以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。实施例1在感应耦合等离子体刻蚀机刻蚀硅片完成后，立即在北方微电子商业刻蚀机(PM2)中进行下列硅片卸载工艺直接通入N2/H2混合气体(N2∶H2＝5∶1)并起辉。工艺参数设置为腔室压力80mT，上电极功率200W，N2/H2混合气体的总流量为500sccm，时间10s。采用此工艺有效减少了对腔室部件造成的等离子损伤，并缩短了工艺时间。实施例2在感应耦合等离子体刻蚀机刻蚀硅片完成后，立即在北方微电子商业刻蚀机(PM2)中进行下列硅片卸载工艺直接通入N2并起辉。工艺参数设置为腔室压力200mT，上电极功率50W，N2流量为50sccm，时间1s。采用此工艺有效减少了对腔室部件造成的等离子损伤，并缩短了工艺时间。实施例3在感应耦合等离子体刻蚀机刻蚀硅片完成后，立即在北方微电子商业刻蚀机(PM2)中进行下列硅片卸载工艺直接通入H2并起辉。工艺参数设置为腔室压力100mT，上电极功率100W，H2流量为300sccm，时间7s。采用此工艺有效减少了对腔室部件造成的等离子损伤，并缩短了工艺时间。实施例4在感应耦合等离子体刻蚀机刻蚀硅片完成后，立即在北方微电子商业刻蚀机(PM2)中进行下列硅片卸载工艺直接通入H2并起辉。工艺参数设置为腔室压力80mT，上电极功率50W，H2流量为100sccm，时间3s。采用此工艺有效减少了对腔室部件造成的等离子损伤，并缩短了工艺时间。实施例5在感应耦合等离子体刻蚀机刻蚀硅片完成后，立即在北方微电子商业刻蚀机(PM2)中进行下列硅片卸载工艺直接通入N2并起辉。工艺参数设置为腔室压力90mT，上电极功率90W，N2流量为200sccm，时间5s。采用此工艺有效减少了对腔室部件造成的等离子损伤，并缩短了工艺时间。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种减小等离子损伤的硅片卸载工艺，其特征在于直接通入载气并起辉。

【技术特征摘要】
1.一种减小等离子损伤的硅片卸载工艺，其特征在于直接通入载气并起辉。2.如权利要求1所述的硅片卸载工艺，其特征在于载气选自N2、H2中的一种或多种。3.如权利要求1或2所述的硅片卸载工艺，其特征在于工艺参数设置为腔室压力80-200mT，上电极功率50-200W，载气流量50-500sccm，时间1-...

【专利技术属性】
技术研发人员：王铮，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]