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本发明提供了一种能有效减少等离子损伤的硅片卸载工艺，它是直接通入载气并起辉。本发明所述的硅片卸载工艺能有效减少对硅片元件造成的等离子损伤，并缩短工艺时间。...
该专利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。

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