【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体晶片的加工设备,特别是一种供气均匀性可调的进气喷嘴。
技术介绍
半导体晶片的处理是通过将晶片7放在等离子体反应腔室内,然后向晶片7表面喷射各种化学气体,经几个工序以后,得到高密度等离子体,可使形成在晶片7表面的膜层得到变化。用于向腔室内提供化学气体的装置典型的包括一个密闭空间6,由喷嘴8向盖1内供气。一般情况,是最靠近注射点的中心区域的气体要比远离注射点的边缘区域的气体流量大,流速高。气体在晶片表面分布不均匀,从而气体被激发得到的等离子体也不均匀,造成晶片上反应速率不均匀,这对半导体制造工艺产生不利影响。为了优化气体在晶片整个表面的均匀分布,希望能调节中心和边缘的流量比。造成上述缺陷的原因主要是喷嘴的结构,现有技术中,喷嘴的一种形式如图2所示,其入射口为喇叭状;另一种形式如图3所示,其入射口为莲蓬头状。图中箭头所示为工艺进气方向。此两种形式的喷嘴都有一个共同的缺点其边缘区域比中心区域的流量低,气体分布不均匀。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术的目的在于针对上述现有技术的不足,提供一种使工艺气体在反应腔室的晶片上方分布均匀的进气喷嘴。(二)技术方案为实现上述目的,本专利技术采用如下技术方案本专利技术所述的供气均匀性可调的进气喷嘴,包括内芯和套装在内芯外的外套,两者用“O”形密封圈密封联接。所述内芯的中心开有一中心出气通孔,其侧面开有第一进气孔,所述外套的中心开有通孔,该通孔与内芯的外壁之间具有间隙,形成边缘出气通道,该边缘出气通道的出气口为喇叭口形或锥形的圆环,外套的侧面开有第二进气孔,所述第一进气孔和第二进气孔与工艺气体的 ...
【技术保护点】
一种供气均匀性可调的进气喷嘴,其特征是包括内芯(3)和套装在内芯(3)外的外套(2),两者用“O”形密封圈密封联接,所述内芯(3)的中心具有中心出气通孔(11),其侧面开有第一进气孔(9),所述外套(2)的中心开有通孔,该通孔与内芯(3)的外壁之间具有间隙,形成边缘出气通道,该边缘出气通道的出气口为喇叭口形或锥形的圆环(12),外套(2)的侧面开有第二进气孔(10),所述第一进气孔(9)和第二进气孔(10)与工艺气体的比例调节阀(5)联接。
【技术特征摘要】
1.一种供气均匀性可调的进气喷嘴,其特征是包括内芯(3)和套装在内芯(3)外的外套(2),两者用“O”形密封圈密封联接,所述内芯(3)的中心具有中心出气通孔(11),其侧面开有第一进气孔(9),所述外套(2)的中心开有通孔,该通孔与内芯(3)的外壁之间具有间隙,形成边缘出气通道,该边缘出气通道的出气口为喇叭口形或锥形的圆环(12),外套(2)的侧面开有第二进气孔(10),所述第一进气孔(9)和第二进气孔(10)与工艺气体的比例调节阀(5)联接。2.根据权利要求1所述的进气喷嘴,其特征是所述喷嘴与盖(1)用“O”形密封圈密封联接。3.根据权利要求1或2所述的进气喷嘴,其特征是所述中心出气通孔(11)的正上方用“O”形密封圈密封联接蓝宝石。4.根据权利要求1或2所述的进气喷嘴,其特征是所述中...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡谦,
申请(专利权)人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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