【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体刻蚀装置，具体涉及一种可以在线测量刻蚀速率分布的半导体刻蚀装置。
技术介绍
在半导体器件的制造中，集成电路或平板显示器上的不同的材料层面一般需要经过多道工序，例如化学和物理沉积、光刻、刻蚀等处理过程，刻蚀是其中必不可少的一部分，并占据着重要地位。对于越来越小的器件尺寸刻蚀一般都在等离子工艺体系的反应室中进行。刻蚀工艺中对于整个硅片内刻蚀速率均匀性的要求比较高，刻蚀速率的均匀性就是在整个硅片表面刻蚀速率分布的差别。局部刻蚀速率不均匀有可能导致硅片表面的部分氧化层被刻穿，而有些部分还没有将多晶硅刻蚀完，所以对于硅片表面刻蚀速率的测量和控制是刻蚀设备及工艺中必须解决的问题。目前测量刻蚀速率通常使用膜厚测量仪，在刻蚀前测量多晶硅的厚度，刻蚀后再测量残余多晶硅的厚度，然后相减得到差值除以时间得到刻蚀速率。这种方法一般需要离线测量，所以工艺前要进行准备，工艺后还要进行测量，占有了很多时间和人力。在线测量刻蚀速率的方法可以用干涉测量法，参照图1，即在硅片上部照射下一束光，光在多晶硅的上下表面分别反射，两束发射光进行干涉，利用干涉图谱得到多晶硅的膜厚，在刻...
【技术保护点】
一种半导体刻蚀装置，包括反应腔室（１）、线圈（３）、石英盖（５）和ＩＥＰ探头（７），其特征在于石英盖（５）上安装了导轨（２），ＩＥＰ探头（７）沿着导轨（２）运动。
【技术特征摘要】
1.一种半导体刻蚀装置，包括反应腔室(1)、线圈(3)、石英盖(5)和IEP探头(7)，其特征在于石英盖(5)上安装了导轨(2)，IEP探头(7)沿着导轨(2)运动。2.如权利要求1所述的半导体刻蚀装置，其特征在于导轨(2)安装在线圈(3)上方。3.如权利要求1所述的半导体刻蚀装置，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈卓，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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