双区喷嘴制造技术

本发明专利技术涉及半导体刻蚀工艺中的喷嘴。本发明专利技术为双区喷嘴，包括喷嘴主体，其中所述喷嘴主体内设有中心通孔和与该中心通孔同轴布置的环形孔，所述喷嘴主体上设有中心通孔的中心孔入口和环形孔入口。本发明专利技术的有益效果是：本发明专利技术中，由于具有两个独立的气体通道，气体的流量可以分别控制，即可以通过减小中心通孔内的气体流量，相应增加环形孔内气体流量的办法平衡进入到反应室内中央和外围的气体流量，使反应室内气体更容易实现均匀，从而使得在晶片表面上各点的刻蚀速率更加相近。即使随着晶片尺寸的增大，本发明专利技术也能很好地控制从晶片中央到边缘的刻蚀速率和均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子
，特别是一种应用于半导体刻蚀工艺中的喷嘴。
技术介绍
在低压下，反应气体在射频功率的激发下，产生电离形成等离子体，等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团。活性反应基团和被刻蚀物质表面形成化学反应并形成挥发性的反应性生生成物。反映生成物脱离被刻蚀物质表面，并被真空系统抽出腔体。在反应腔室内部的非均匀性气体分布将导致在腔室内部的晶片表面上的刻蚀速率和均匀性有较大的变化。在半导体加工厂，进入反应腔室的工艺气体被激活产成的等离子体刻蚀晶片表面的材质。而且目前晶片的尺寸从100mm增加到300mm。反应腔室的体积也相应的增大，这使得要想提供更加均匀的气体分布更加困难，因此从晶片的中央到周围的刻蚀速率与均匀性有很大的变化原因在于气体分布的非均匀性。尽管等离子技术为半导体制造业所广泛接受，该技术的应用仍然不断地面临相当数量的挑战。值得指出的是，大量的生产/研发数据表明，在制造工艺过程中，要保证工艺气体在半导体硅片表面实现均匀分布是非常困难的，而硅片表面均匀稳定的气流分布则是实现稳定的气态等本文档来自技高网...

【技术保护点】
双区喷嘴，包括喷嘴主体（１），其特征在于所述喷嘴主体（１）内设有中心通孔（２）和与该中心通孔（２）同轴布置的环形孔（３），所述喷嘴主体（１）上设有中心通孔（２）的中心孔入口（４）和环形孔入口（５）。

【技术特征摘要】
1.双区喷嘴，包括喷嘴主体(1)，其特征在于所述喷嘴主体(1)内设有中心通孔(2)和与该中心通孔(2)同轴布置的环形孔(3)，所述喷嘴主体(1)上设有中心通孔(2)的中心孔入口(4)和环形孔入口(5)。...

【专利技术属性】
技术研发人员：林盛，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]