增进流场均匀性的屏蔽板制造技术

本发明专利技术涉及一种应用于半导体刻蚀工艺中的屏蔽板。本发明专利技术增进流场均匀性的屏蔽板，包括板体，其中所述板体呈环形，在所述板体上由中心向圆周方向呈放射状分布有若干气孔，且若干气孔从板体中心向圆周方向逐渐变大。本发明专利技术的有益效果是：本发明专利技术中，由于若干气孔在板体上由中心向圆周方向呈放射状分布，且若干气孔从板体中心向圆周方向逐渐变大，从而改变了气体在反应腔室内部的流动途径，改善了气体在反应腔室内部的分布均匀性，使得在晶片表面上各点的刻蚀速率更加相近。即使随着晶片尺寸的增大，本发明专利技术的技术方案也能很好地控制从晶片中央到边缘的刻蚀速率和均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子
，特别是一种应用于半导体刻蚀工艺中的屏蔽板。
技术介绍
半导体制造技术包括金属、介质及其他半导体材料的沉积，上述材料的刻蚀，光阻掩膜层的去除等工序。在刻蚀工艺中，等离子体刻蚀技术广泛地应用于栅刻蚀、介质刻蚀以及金属刻蚀等刻蚀工艺中。一个典型的等离子刻蚀反应室包括腔室、等离子体产生与控制装置、工艺气体输送装置、用于硅片固定的硅片卡盘以及工艺组件(Process Kits，用于控制及限定气体流动和等离子体存在区域、以及避免刻蚀产物吸附沉积在不易进行拆装清洗的腔室内壁)等。在低压下，反应气体在射频功率的激发下，产生电离形成等离子体，等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团。活性反应基团和被刻蚀物质表面形成化学反应并形成挥发性的反应性生生成物。反映生成物脱离被刻蚀物质表面，并被真空系统抽出腔体。在反应腔室内部的非均匀性气体分布将导致在腔室内部的晶片表面上的刻蚀速率和均匀性有较大的变化。在半导体加工厂，进入反应腔室的工艺气体被激活产生的等离子体刻蚀晶片表面的材质。而目前晶片的尺寸从100本文档来自技高网...

【技术保护点】
增进流场均匀性的屏蔽板，包括板体（１），其特征在于所述板体（１）呈环形，在所述板体（１）上由中心向圆周方向呈放射状分布有若干气孔，且若干气孔从板体（１）中心向圆周方向逐渐变大。

【技术特征摘要】
1.增进流场均匀性的屏蔽板，包括板体(1)，其特征在于所述板体(1)呈环形，在所述板体(1)上由中心向圆周方向呈放射状分布有若干气孔，且若干气孔从板体(1)中心向圆周方向逐渐变大。2.根据权利要求1所述的增进流场均匀性的屏蔽板，其特征在于所述气孔的横截面呈多边形，且多边形的边数是3的倍数。3.根据权利要求1所述的增进流场均匀性的屏蔽板，其特征在于所述气孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：林盛，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]