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本发明涉及半导体刻蚀装置。本发明提出一种可以在线测量刻蚀速率分布的半导体刻蚀装置，其中在刻蚀装置的石英盖上安装导轨，ＩＥＰ探头沿着导轨运动进行探测。发明的优点和积极效果在于，通过可移动的ＩＥＰ探头可得到多点刻蚀速率的结果，可以自动、多点、在...该专利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。