不对称铸模的芯片封装体制造技术

一种不对称铸模的晶片封装体，其包括一导线架、一晶片、一粘着层、多条打线与一封装胶体，其中导线架包括一导线架本体与至少一扰流板。导线架本体具有多个内引脚部与外引脚部。扰流板为向下弯折形成一凹陷部，且扰流板的第一端与导线架本体连接，且扰流板的第二端低于内引脚部。晶片固着于这些内引脚部下方，且扰流板位于晶片的一侧。粘着层配置于晶片与这些内引脚部之间，而这些打线分别电性连接这些内引脚部与晶片之间。封装胶体至少包覆晶片、这些打线、这些内引脚部、粘着层与扰流板，其中位于扰流板的凹陷部上方的封装胶体的厚度与位于扰流板的凹陷部下方的封装胶体的厚度的比值大于１，且位于外引脚部下方的封装胶体的厚度与位于外引脚部上方的封装胶体的厚度为不相等。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种不对称铸模的晶片封装体，且特别是有关于一种具有导线架的晶片封装体。
技术介绍
对动态随机存取记忆体(dynamic random access memory，DRAM)而言，所使用的封装方式可以分为小型J型外引脚封装(small outline J-lead，SOJ)与小型外引脚封装(thin small outline package，TSOP)两种，而此两种的优点为传输速度快、散热佳、以及结构小。然而，若就导线架(leadframe)而言，小型J型外引脚封装与小型外引脚封装又可以分为引脚位于晶片上方(lead on chip，LOC)封装，例如US Patent 4,862,245或者引脚位于晶片下方(chip on lead，COL)，例如US Patent 4,989,068。图1A绘示习知具有LOC架构的小型外引脚封装体的剖视图。请先参考图1A所示，习知的小型外引脚封装体100a包括一导线架110、一晶片120、一粘着层130、多条第一打线(bonding wire)140a与一封装胶体(moldingcompound)150，其中导线架110具有多个内引脚部112与多个外引脚部114。晶片120固着于内引脚部112下方，而粘着层130配置于晶片120与内引脚部112之间，用以固定晶片120。这些第一打线140a分别电性连接晶片120与内引脚部112之间，而封装胶体150包覆内引脚部112、晶片120、粘着层130与第一打线140a。值得注意的是，位于外引脚114上方的封装胶体150的厚度D1与位于外引脚114下方的封装胶体150的厚度D2的比例为1∶3，因此当封装胶体150冷凝收缩时，习知的小型外引脚封装体100便容易产生翘曲(warpage)的现象，而造成破坏。图1B绘示另一习知具有LOC架构的小型外引脚封装体的剖视图。请继续参考图1B，图1B与图1A相似，其不同之处在于另一种习知的小型外引脚封装体100b更包括多条第二打线140b，且导线架110更包括多条汇流条(bus bar)116，且这些汇流条116与这些内引脚部112相邻。此外，这些第二打线140b分别电性连接汇流条116与晶片120之间。然而，此种习知的小型外引脚封装体100b依旧存在着上述的问题。由此可见，上述现有的晶片封装体在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决晶片封装体存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型结构的不对称铸模的晶片封装体，便成了当前业界极需改进的目标。有鉴于上述现有的晶片封装体存在的缺陷，本专利技术人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型结构的不对称铸模的晶片封装体，能够改进一般现有的晶片封装体，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本专利技术。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的就是在提供一种不对称铸模的晶片封装体，其具有较佳的可靠度(reliability)。此外，本专利技术的另一目的就是在提供一种不对称铸模的晶片封装体，其具有较小的翘曲(warpage)变形量。基于上述目的或其他目的，本专利技术提出一种不对称铸模的晶片封装体，其包括一导线架、一晶片、一粘着层、多条第一打线与一封装胶体，其中导线架包括一导线架本体与至少一扰流板。导线架本体具有多个内引脚部与多个外引脚部。扰流板为向下弯折形成一凹陷部，而扰流板具有一第一端与一第二端，其中第一端与导线架本体连接，且第二端低于内引脚部。晶片固着于这些内引脚部下方，且扰流板位于晶片的一侧。粘着层配置于晶片与这些内引脚部之间，而这些第一打线分别电性连接这些内引脚部与晶片之间。封装胶体至少包覆晶片、这些第一打线、这些内引脚部、粘着层与扰流板，其中位于凹陷部上方的封装胶体的厚度与位于凹陷部下方的封装胶体的厚度的比值大于1，而位于外引脚部下方的封装胶体的厚度与位于外引脚部上方的封装胶体的厚度为不相等，且晶片面积占封装胶体面积的25％以下。依照本专利技术实施例，扰流板的第二端可以是弯折成水平。依照本专利技术实施例，扰流板为向下弯折以形成凹陷部，再向上弯折，且第二端低于内引脚部。依照本专利技术实施例，导线架更包括至少一支撑条(supporting bar)，其连接扰流板的第二端与导线架本体之间。此外，支撑条也可以连接于导线架本体与扰流板侧边之间。依照本专利技术实施例，这些内引脚部可以是沉置(down-set)设计。依照本专利技术实施例，扰流板可以是具有多个开孔。依照本专利技术实施例，导线架更可以包括多条汇流条(bus bar)，且这些汇流条与这些内引脚部相邻。此外，不对称铸模的晶片封装体更包括多条第二打线，其分别电性连接晶片与汇流条之间，而封装胶体更包覆第二打线与汇流条。基于上述目的或其他目的，本专利技术提出一种不对称铸模的晶片封装体，其包括一导线架、一晶片、一粘着层、多条第一打线与一封装胶体，其中导线架包括一导线架本体与至少一扰流板。导线架本体具有多个内引脚部与多个外引脚部。扰流板为向下弯折以形成一凹陷部再向上弯折，而扰流板具有一第一端与一第二端，其中第一端与导线架本体连接，且该第二端高于该些内引脚部。晶片固着于这些内引脚部下方，且扰流板位于晶片的一侧。粘着层配置于晶片与这些内引脚部之间，而这些第一打线分别电性连接这些内引脚部与晶片之间。封装胶体至少包覆晶片、这些第一打线、这些内引脚部、粘着层与扰流板，其中位于外引脚部下方的封装胶体的厚度与位于外引脚部上方的封装胶体的厚度为不相等。依照本专利技术实施例，扰流板的第二端可以是弯折成水平。依照本专利技术实施例，导线架更包括至少一支撑条(supporting bar)，其连接扰流板的第二端与导线架本体之间。此外，支撑条也可以连接于导线架本体与扰流板侧边之间。依照本专利技术实施例，这些内引脚部可以是沉置(down-set)设计。依照本专利技术实施例，扰流板可以是具有多个开孔。依照本专利技术实施例，导线架更可以包括多条汇流条(bus bar)，且这些汇流条与这些内引脚部相邻。此外，不对称铸模的晶片封装体更包括多条第二打线，其分别电性连接晶片与汇流条之间，而封装胶体更包覆第二打线与汇流条。依照本专利技术实施例，位于扰流板的凹陷部上方的封装胶体的厚度与位于扰流板的凹陷部下方的封装胶体的厚度的比值可以是大于1。依照本专利技术实施例，晶片面积占封装胶体面积的25％以下。基于上述目的或其他目的，本专利技术提出一种不对称铸模的晶片封装体，其包括一导线架、一晶片、一粘着层、多条第一打线与一封装胶体，其中导线架包括一导线架本体与至少一扰流板。导线架本体具有多个内引脚部、多个外引脚部与一晶片承载座。扰流板为向下弯折形成一凹陷部，而扰流板具有一第一端与一第二端，其中第一端与导线架本体连接。晶片固着于晶片承载座上，且扰流板位于晶片的一侧。粘着层配置于晶片与晶片承载座之间，而这些第一打线分别电性连接这些内引脚部与晶片之间。封装胶体至少包覆晶片、这些第一打线、这些内引脚部、粘着层、扰流板与晶片承载座，其中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种不对称铸模的晶片封装体，其特征在于其包括：一导线架，包括：一导线架本体，具有多数个内引脚部与多数个外引脚部；至少一扰流板，该扰流板向下弯折形成一凹陷部，而该扰流板具有一第一端与一第二端，其中该第一端与该本体连接， 且该扰流板的该第二端低于该些内引脚部；一晶片，固着于该些内引脚部下方，且该扰流板位于该晶片的一侧；一粘着层，配置于该晶片与该些内引脚部之间；多数条第一打线，分别电性连接该些内引脚部与该晶片之间；以及一封装胶体 ，至少包覆该晶片、该些第一打线、该些内引脚部、该粘着层与该扰流板，其中位于该凹陷部上方的该封装胶体的厚度与位于该凹陷部下方的该封装胶体的厚度的比值大于１，而位于该些外引脚部下方的该封装胶体的厚度与位于该些外引脚部上方的该封装胶体的厚度为不相等，且该晶片面积占该封装胶体面积的２５％以下。

【技术特征摘要】
1.一种不对称铸模的晶片封装体，其特征在于其包括一导线架，包括一导线架本体，具有多数个内引脚部与多数个外引脚部；至少一扰流板，该扰流板向下弯折形成一凹陷部，而该扰流板具有一第一端与一第二端，其中该第一端与该本体连接，且该扰流板的该第二端低于该些内引脚部；一晶片，固着于该些内引脚部下方，且该扰流板位于该晶片的一侧；一粘着层，配置于该晶片与该些内引脚部之间；多数条第一打线，分别电性连接该些内引脚部与该晶片之间；以及一封装胶体，至少包覆该晶片、该些第一打线、该些内引脚部、该粘着层与该扰流板，其中位于该凹陷部上方的该封装胶体的厚度与位于该凹陷部下方的该封装胶体的厚度的比值大于1，而位于该些外引脚部下方的该封装胶体的厚度与位于该些外引脚部上方的该封装胶体的厚度为不相等，且该晶片面积占该封装胶体面积的25％以下。2.根据权利要求1所述的不对称铸模的晶片封装体，其特征在于其中所述的扰流板的该第二端为弯折成水平。3.根据权利要求1所述的不对称铸模的晶片封装体，其特征在于其中所述的扰流板在向下弯折以形成该凹陷部之后，再向上弯折。4.根据权利要求1所述的不对称铸模的晶片封装体，其特征在于其中所述的导线架更包括至少一支撑条，连接该扰流板的该第二端与该导线架本体之间。5.根据权利要求4所述的不对称铸模的晶片封装体，其特征在于其中所述的支撑条连接于该导线架本体与该扰流板侧边之间。6.根据权利要求1所述的不对称铸模的晶片封装体，其特征在于其中该些内引脚部为沉置设计。7.根据权利要求1所述的不对称铸模的晶片封装体，其特征在于其中所述的扰流板具有多数个开孔。8.根据权利要求1所述的不对称铸模的晶片封装体，其特征在于其中所述的导线架更包括多数条汇流条，且该些汇流条与该些内引脚部相邻。9.根据权利要求8所述的不对称铸模的晶片封装体，其特征在于其更包括多数条第二打线，分别电性连接该晶片与该些汇流条之间，而该封装胶体更包覆该些第二打线与该些汇流条。10.一种不对称铸模的晶片封装体，其特征在于其包括一导线架，包括一导线架本体，具有多数个内引脚部与多数个外引脚部；至少一扰流板，该扰流板为向下弯折以形成一凹陷部，再向上弯折，而该扰流板具有一第一端与一第二端，其中该第一端与该本体连接，且该第二端高于该些内引脚部；一晶片，固着于该些内引脚部下方，且该扰流板位于该晶片的一侧；一粘着层，配置于该晶片与该些内引脚部之间；多数条第一打线，分别电性连接该些内引脚部与该晶片之间；以及一封装胶体，至少包覆该晶片、该些第一打线、该些内引脚部、该粘着层与该扰流板，其中位于该些外引脚部下方的该封装胶体的厚度与位于该些外引脚部上方的该封装胶体的厚度为不相等。11.根据权利要求10所述的不对称铸模的晶片封装体，其特征在于其中所述的扰流板的该第二端为弯折成水平。12.根据权利要求10所述的不对称铸模的晶片封装体，其特征在于其中所述的导线架更包括至少一支撑条，连接该扰流板的该第二端与该导线架本体之间。13.根据权利要求12所述的不对称铸模的晶片封装体，其特征在于其中所述的支撑条连接于该导线架本体与该扰流板侧边之间。14.根据权利要求10所述的不对称铸模的晶片封装体，其特征在于其中该些内引脚部为沉置设计。15.根据权利要求10所述的不对称铸模的晶片封装体，其特征在于其中所述的扰流板具有多数个开孔。16.根据权利要求10所述的不对称铸模的晶片封装体，其特征在于其中所述的导线架更包括多数...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜武昌，沈更新，
申请(专利权)人：南茂科技股份有限公司，百慕达南茂科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]