【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种半导体管芯中的结构,该结构包括:位于互连金属层中的金属垫(226),该金属垫(226)含铜;位于该金属垫(226)上的层间介电层(214);界定于该层间介电层(214)中的终端导孔(228),该终端导孔(228) 位于该金属垫(226)上;位于该层间介电层(214)上且在该终端导孔(228)中的终端金属层(220);位于该终端金属层(220)上的介电内衬(216);界定在该介电内衬(216)中的焊垫开口(234),该焊垫开口( 234)使该终端金属层(220)的一部份(236)露出;其中该层间介电层(214)位于该终端金属层(220)的该部份(236)及该金属垫(226)之间。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:I康,H木下,BY洪,H和田,S千,CX陈,
申请(专利权)人:斯班逊有限公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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