【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种对半导体集成电路元件基材中的穿硅通孔结构进行金属填充的方法，其中所述半导体集成电路元件基材包括一个前表面，一个后表面，以及通孔结构；其中所述通孔结构包含一个嵌在所述基材前表面的开口，一个从所述基材前表面伸进的边壁，以及一个底部；本方法包括：将半导体集成电路元件基材浸入一种电解铜沉积组合物中；其中所述穿硅通孔结构的入口尺寸介于约２００纳米至约５００微米之间，其纵横比约大于０．３∶１；且所述沉积组合物包含：（ａ）一种铜离子源；（ｂ）一种选自于有机酸、有机磺酸及其混合物的酸剂；（ｃ）一种或多种选自于极化剂及／或去极化剂的有机化合物，其中一种或多种有机化合物会促使通孔底部的铜沉积速率快于通孔开口处的铜沉积速率；以及（ｄ）氯离子；并且在电解沉积组合物中通入电流，以将铜金属沉积于通孔的底部和边壁，实现自底向上的填充，从而产生一种镀铜通孔结构。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯B理查德森，张云，王晨，文森特潘卡索，王材，林璇，理查德赫特拜斯，约瑟夫A阿贝斯，
申请(专利权)人：恩索恩公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。