一种集成电路或半导体器件铜金属化阻挡层结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种无需特殊工艺和特殊设备、生产效率高，易于推广使用的集成电路或半导体器件铜金属化阻挡层结构及其制备方法。它包括基片和在基片上设置的Ｚｒ粘附层、阻挡层、Ｚｒ缓冲层，阻挡层设置在Ｚｒ粘附层和Ｚｒ缓冲层之间，Ｚｒ缓冲层设置在最上面。本发明专利技术大大改善了Ｃｕ抗电迁徙能力、阻挡层的性能、层间粘附性以及降低接触电阻等方面，而且制备工艺无需特殊工艺和特殊设备、生产效率高，易于推广使用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种集成电路或半导体器件铜金属化阻挡层结构，它包括基片，其特征在于它还包括在基片上设置的Ｚｒ粘附层、阻挡层、Ｚｒ缓冲层，阻挡层设置在Ｚｒ粘附层和Ｚｒ缓冲层之间，Ｚｒ缓冲层设置在最上面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王颖，赵春晖，曹菲，
申请(专利权)人：哈尔滨工程大学，
类型：发明
国别省市：93[中国|哈尔滨]