半导体器件及其制造方法技术

一种半导体器件，包括形成在半导体衬底的预定区域的第一阱，形成在第一阱中预定区域的第二阱，和形成在第一阱中的第三阱，其中第三阱与第二阱以预定距离隔开。形成包括顺序设置的第一阱、第二阱和第三阱的半导体衬底的多级阱。因此可以提高击穿电压和可以降低漏电流。因此可以防止擦除电压降低和减少擦除操作的错误。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及，以及更具体地涉及一种，其中通过三级阱结构可以防止由于寄生双极晶体管在擦除时产生的漏电流。
技术介绍
NAND快闪存储器件通过将电子通过福勒-诺德海姆(Fowler-Nordheim，FN)隧道效应注入浮动栅极进行数据编程。NAND快闪存储器件提供大的容量和高的集成度。NAND快闪存储器件包括多个单元块。每个单元块包括多个单元串(在所述单元串中，用于储存数据的多个单元串联连接形成一串)和分别形成在单元串和漏极之间、单元串和源极之间的漏极选择晶体管和源极选择晶体管。每个单元块还包括外围区域，在所述外围区域中形成用于产生用以进行单元的编程、擦除和读取操作的预定偏压以及传递该偏压的多个电路元件。此外，构成不同单元串并且由相同字线(WL)驱动的单元形成页。多个漏极选择晶体管的栅极共同连接到漏极选择线(DSL)，并由漏极选择线的电位驱动。多个源极选择晶体管的栅极共同连接到源极选择线并由源极选择线的电位驱动。NAND快闪存储单元包括栅极和形成在半导体衬底上栅极两侧的连接，在栅极中隧道氧化物层、浮动栅极、介电层和控制栅极层叠在半导体衬底的预定区域。如上所述构造的NAND快闪本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包含：形成在半导体衬底中的第一阱区域；形成在第一阱区域中并且与第一阱区域分隔的第二阱区域；和形成在第一阱区域中并且与第二阱区域上的半导体衬底表面邻接的第三阱区域。

【技术特征摘要】
KR 2006-2-16 10-2006-00150041.一种半导体器件，包含形成在半导体衬底中的第一阱区域；形成在第一阱区域中并且与第一阱区域分隔的第二阱区域；和形成在第一阱区域中并且与第二阱区域上的半导体衬底表面邻接的第三阱区域。2.权利要求1的半导体器件，其中所述第一阱使用N-型杂质形成，第二阱和第三阱使用P-型杂质形成。3.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤在半导体衬底中形成第一阱区域；在第一阱区域的半导体衬底中形成沟槽；用多晶硅层填充沟槽；形成连接到第一阱区域中多晶硅层底部的杂质区域，由此形成第二阱区域以分隔第一阱区域；和形成位于第一阱区域中并且与第二阱区域上的半导体衬底表面邻接的第三阱区域。4.权利要求3的方法，包括通过注入N-型杂质形成第一阱区域。5.权利要求3的方法，进一步包括在形成沟槽之后进行退火处理的步骤。6.权利要求5的方法，包括在氮气下进行退火处理。7.权利要求5的方法，包括在温度为约8...

【专利技术属性】
技术研发人员：申完哲，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]