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一种半导体器件，包括形成在半导体衬底的预定区域的第一阱，形成在第一阱中预定区域的第二阱，和形成在第一阱中的第三阱，其中第三阱与第二阱以预定距离隔开。形成包括顺序设置的第一阱、第二阱和第三阱的半导体衬底的多级阱。因此可以提高击穿电压和可以降低...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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