制造半导体器件的方法技术

提供一种制造半导体器件的方法，其中，当聚酰亚胺树脂膜形成在半导体芯片的前表面上作为保护膜时，设置在划片线上的聚酰亚胺树脂膜被去除，且设置在半导体晶片的圆周部分上的聚酰亚胺树脂膜也被去除。由此，当研磨半导体晶片的后表面时，半导体晶片的外圆周部分和表面保护带可以被完全相互接合，由此使得可以填充表面保护带和形成在半导体晶片的前表面上的每条划片线之间的间隙，防止当研磨半导体晶片的后表面时磨碎的晶片渗入间隙中，并且防止划片线和半导体芯片的前表面被研磨屑污染。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，更具体地，涉及包括研磨半导体晶片的后表面的步骤的。
技术介绍
半导体器件被如此制造使得均包括半导体元件的多个半导体芯片被形成在半导体晶片的前表面上。另外，在半导体晶片上的相互邻近的半导体芯片之间，形成划片线(scribe line)，在切片工艺中沿其将半导体晶片切割成多个芯片。半导体晶片具有约500至900μm的厚度以在制造过程中保持一定的硬度。但是，在半导体晶片被并入封装中作为芯片的情况下，需要该半导体芯片具有在100至350μm之间的厚度。由于该原因，采用一种方法，其中研磨半导体晶片以获得所需厚度，然后沿划片线垂直和水平地切割半导体晶片以便分离。作为减薄半导体晶片的方法，JP 05-335411A公开了一种制造半导体芯片的方法，其中每个具有预定深度的沟槽形成在半导体晶片的前表面上，然后研磨半导体晶片的后表面侧。另外，JP 2001-127029 A公开了一种利用表面保护板保护半导体晶片的前表面的方法，该保护板包括基底材料和形成在其上的粘结层，并且在对表面保护板的张力测试中，对10％的张力马上具有40％或更大的应力松弛率。在研磨半导体晶片的后表面的工艺中，表面保护带被接合在半导体晶片的前表面上，以便保护半导体晶片的前表面，然后研磨半导体晶片的后表面。在研磨半导体晶片的后表面后，表面保护带被去除。在使用聚酰亚胺树脂膜的情况下，该聚酰亚胺树脂膜必须具有一定的厚度以保护半导体芯片不被损坏或污染。此外，去除设置在划片线上的聚酰亚胺树脂膜是必要的，因为设置在划片线上的聚酰亚胺树脂膜会使切片工艺中的切割刀片的切割性能退化。需要聚酰亚胺树脂膜具有4μm或更厚的厚度，并且每个划片线具有沟槽的形状。如图7所示，划片线3形成在半导体晶片1的最外面的圆周部分中。如图6所示，表面保护带6并没有填充在半导体晶片的前表面上的由划片线3形成的每个沟槽，其导致在表面保护带和形成在半导体晶片的前表面上的每个划片线之间产生间隙9。结果，当研磨半导体晶片的后表面时，研磨水由间隙9进入，并且研磨屑污染了划片线和半导体芯片的前表面。
技术实现思路
考虑到上述问题作出本专利技术，并且本专利技术的目的是提供一种，包括在制备包括由划片线区域分开的多个半导体芯片区域的半导体晶片的步骤中，在去除设置在半导体晶片的划片线区域中的聚酰亚胺树脂膜，以及去除在半导体晶片的外圆周部分中提供的聚酰亚胺树脂膜之后，半导体晶片的外圆周部分和表面保护带被相互接合，由此填充表面保护带和形成在半导体晶片的前表面上的每个划片线之间的间隙，并防止了当研磨半导体晶片的后表面时磨碎的晶片渗入到间隙中，还防止了划片线和半导体芯片的前表面被研磨屑污染。如上所述，根据本专利技术，当研磨半导体晶片的后表面时，半导体晶片的外圆周部分和表面保护带相互接合，由此可以填充表面保护带和在半导体晶片的前表面上形成的每条划片线之间的间隙，防止当研磨半导体晶片的后表面时磨碎的晶片渗入到间隙中，并防止划片线和半导体芯片的前表面被研磨屑污染。附图说明在附图中图1是表示半导体晶片的图，其中半导体芯片通过根据本专利技术的第一实施例的被安装；图2是表示用于通过根据本专利技术的第一实施例的制造半导体芯片的掩模布置的图；图3是表示半导体晶片的图，其中半导体芯片通过根据本专利技术的第二实施例的被安装；图4是通过根据本专利技术的第一实施例的当表面保护带与半导体晶片接合时形成在半导体晶片的外圆周部分中的划片线的放大截面图；图5是通过根据本专利技术的第一实施例的当表面保护带与半导体晶片接合时由在半导体晶片的外圆周部分中的划片线形成的每个沟槽的放大截面图；图6是通过根据常规技术的当表面保护带与半导体晶片接合时由在半导体晶片的外圆周部分中的划片线形成的每个沟槽的放大截面图；图7是表示半导体晶片的图，其中半导体芯片通过根据常规技术的被安装。具体实施例方式在下文中，本专利技术将参考附图被描述。图1是半导体晶片的上表面的顶视图，其中半导体芯片根据本专利技术的实施例被安装。如图1所示，半导体芯片2在晶片工艺中被安装在半导体晶片1上，并且最后，为了其保护半导体芯片被例如光敏聚酰亚胺树脂膜的钝化膜覆盖。数字3表示划片线以及数字4表示半导体晶片的外圆周部分。光敏聚酰亚胺树脂膜可以使用旋涂装置形成。然后，半导体晶片1被放置在曝光装置中以将掩模图案转移至其。半导体晶片1通过使用以相对于实际图案1∶1的比例制作的掩模的接近式曝光(proximity exposure)来曝光。在此之后，半导体晶片1经受显影工艺和后曝光烘焙，由此进行聚酰亚胺树脂膜的图案化。根据本专利技术的实施例，在曝光工艺中，当使用负光敏聚酰亚胺时，铬图案11以弧形形状预先形成在掩模10上，以防止部分4被曝光，该部分4是半导体晶片的外圆周部分且具有1至2mm的宽度，如图2所示。当使用正光敏聚酰亚胺时，在掩模上预先形成弧形图案，以使该部分4被曝光，其是半导体晶片的外圆周部分并具有1至2mm的宽度。通过曝光后的显影，可以去除设置在半导体晶片的外围部分上的聚酰亚胺树脂膜。在使用正光敏聚酰亚胺的情况下，代替在掩模上实施曝光，通过另外执行在图案曝光后以弧形形状仅在半导体晶片的外围部分上实施曝光的工艺，也可以去除设置在半导体晶片的外围部分上的聚酰亚胺树脂膜。通过上述工艺，当设置在划片线上的聚酰亚胺树脂膜被去除时，每个半导体芯片利用聚酰亚胺树脂膜来保护，因此去除设置在半导体晶片1的外圆周部分4上的聚酰亚胺树脂膜，而不管存在或不存在半导体芯片。在这种情况下，光敏聚酰亚胺作为实例被描述，但非光敏聚酰亚胺也可以被用于获得同样的结构。当使用非光敏聚酰亚胺时，设置在非光敏聚酰亚胺上的光致抗蚀剂被图案化，且用作实施蚀刻的掩模，由此使得可以执行非光敏聚酰亚胺的图案化。当研磨半导体晶片1的后表面时，半导体晶片1的外圆周部分4和表面保护带6被相互接合，如图4所示，由此填充表面保护带6和在外圆周部分4中形成在半导体晶片的前表面上的划片线3之间的间隙，从其去除聚酰亚胺树脂膜7，如图5所示。结果，可以防止在研磨半导体晶片的后表面时磨碎的晶片渗入间隙中，并且防止划片线和半导体芯片的前表面被研磨屑污染。此外，根据本专利技术的实施例，可以通过使用以相对于实际图案1∶1的比例制作的掩模的接近式曝光来实施曝光，因此不仅可以完全且容易地去除半导体晶片1的外圆周部分4上的聚酰亚胺树脂膜，还可以去除设置在如图3所示位于半导体晶片1的最外面的圆周部分处的缺陷芯片8上的聚酰亚胺树脂膜。结果，可以保证其中半导体晶片的外圆周部分和表面保护带6被相互接合的大的接合区域，且进一步防止当研磨半导体晶片的后表面时磨碎的晶片从半导体晶片的外围部分进入。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体晶片的前表面上形成由聚酰亚胺树脂膜制成的钝化膜；去除设置在半导体晶片的划片线和半导体晶片的外圆周部分上的钝化膜；以及将保护带接合到半导体晶片的前表面上，并研磨半导体晶片的后表面。

【技术特征摘要】
JP 2006-2-8 2006-0312111.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤在半导体晶片的前表面上形成由聚酰亚胺树脂膜制成的钝化膜；去除设置在半导体晶片的划片线和半导体晶片的外圆周部分上的钝化膜；以及将保护带接合到半导体晶片的前表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤村隆，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]