半导体结构和制造半导体结构的方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构，它包括含Ｃｏ的衬垫，布置在吸氧层与含金属的导电材料之间。含Ｃｏ的衬垫、吸氧层和含金属的导电材料形成ＭＯＬ金属化层，其中含Ｃｏ的衬垫取代了传统的ＴｉＮ衬垫。“含Ｃｏ”意指衬垫单独地包括元素Ｃｏ，或包括元素Ｃｏ和Ｐ或Ｂ中的至少一个。为了在高深宽比的接触开口之内提供本发明专利技术的含Ｃｏ的衬垫的更好阶梯覆盖，通过无电镀淀积工艺形成该含Ｃｏ的衬垫。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体结构和一种制造半导体结构的方法。更特别地，本专利技术涉及将硅化物接触(源极/漏极和/或栅极)与互连结构相接合的线路中间(MOLmiddle-of-the-line)金属化层(metallurgy)，以及制造这样的MOL金属化层的方法。
技术介绍
钨(W)广泛地用于半导体工业，作为线路中间(MOL)金属化层，将半导体器件或集成电路的硅化物接触与上覆的互连结构相接合。MOL金属化层典型地在构图的电介质材料(例如SiO2)之内形成，这种构图的电介质材料具有一个或多个接触开口，这些接触开口延伸到各硅化物接触的表面。由于形成到电介质材料中的接触开口的高深宽比(深宽比大于3)和小特征尺寸(在约0.1微米或更小的量级上)，所以通过化学汽相淀积(CVD)工艺来淀积W，该工艺通常包括WF6和硅烷作为前体(precursor)。在这样的环境中，在成核步骤(由以下的方程式1表示)和体填充步骤(由以下的方程式2表示)中淀积W。观察到在以下方程式中，‘g’表示气体，并且‘s’表示固体。在成核期间，发生以下反应2WF6(g)+3SiH4(g)→2W(s)+3SiF4+6H2(g)—方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括含Ｃｏ的衬垫，布置在吸氧层与含金属的导电材料之间。

【技术特征摘要】
US 2006-3-10 11/308,1861.一种半导体结构，包括含Co的衬垫，布置在吸氧层与含金属的导电材料之间。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述含Co的衬垫包括元素Co，或元素Co和P或B中的至少一个。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述含Co的衬垫还包括W。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述含Co的衬垫包括CoP或CoWP中的至少一个。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述吸氧层包括Ti或W。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述含金属的导电材料包括导电金属、包括导电金属的合金、金属硅化物或它们的任意组合。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述吸氧层包括Ti，所述含Co的衬垫包括CoWP，并且所述含金属的导电材料包括Cu或含Cu的合金。8.一种半导体结构，包括半导体衬底，其上设置有至少一个半导体器件，所述至少一个半导体器件包括至少一个硅化物接触区域；电介质材料，布置在所述半导体衬底和所述至少一个半导体器件的顶上，所述电介质材料具有接触开口，使各硅化物接触区域暴露；以及设置在所述接触开口之内的金属化层，包括吸氧层、布置在所述吸氧层顶上的含Co的衬垫以及上覆的含金属的导电材料。9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中所述含Co的衬垫包括Co，可选地包括P或B中的至少一个，并且还可选地包括W。10.根据权利要求8所述的半导体结构，其中所述含Co的衬垫包括CoP或CoWP中的至少一个。11.根据权利要求8所述的半导体结构，其中所述吸氧层包括Ti或W。12.根据权利要求8所述的半导体结构，其中所述含金属的导电材料包括导电金属，包括导电金属的合金，金属硅化物，或它们的任意组合。13.根据权利要求8所述的半导体结构，其中所述吸氧层包括Ti，所述含Co的衬垫包括CoWP，并且所述含金属的导电材料包括Cu或含Cu的合金。14.根据权利要求8所述的半导体结构，还包括布置在包括所述金属化层的所述电介质材料上的至少一个层间电介质，其中埋置有至少一个导电部件。15.根据权利要求8所述的半导体结构，其中所述至少一个半导体器件是场效应晶体管。16.根据权利要求8...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄洸汉，王允愈，HS怀尔德曼，CC帕克斯，杨智超，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]