半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体装置，其包括：形成到半导体衬底的第一表面的半导体器件；提供在第一通孔中的阻挡膜，该第一通孔以凹状形成到半导体衬底的第一表面；第一通路线，连接至与阻挡膜接触的半导体器件的电极；第二通路线，形成在第二通孔内，与第一通路线电连接且阻挡膜介于其间，并且是形成于第二表面的布线的一部分，该第二通孔以凹状形成在与半导体衬底的第一表面相对的第二表面，以到达阻挡膜。该阻挡膜包括８族元素中的至少一种。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置，并且具体地涉及一种具有通过从半导体衬底的两侧挖沟槽形成的用于电连接的双面衬底通孔(via-hole) 的半导体装置。
技术介绍
对于半导体装置，尤其是处理高频晶体管和信号的模拟集成电路 的半导体芯片，通常使用衬底通孔作为地线，而不是线焊(wire bonding)。衬底通孔是形成在衬底表面上的半导体器件的地线。衬底 通孔是通过向半导体衬底和赋予金属镀层的线提供通孔而形成的。对 于线焊，线的弯曲是电感分量，而线的直径是电阻分量。由此半导体 芯片上的地电位变得不稳定，并且很难获得高频性能。然后，通过衬 底通孔利用更厚更短的线连接背面的接地平面与形成在表面上的半导 体器件，抑制了电感和电阻分量，并且半导体芯片连接到地。这提高 了半导体装置的高频性能。通过蚀刻在半导体衬底中形成沟槽并在沟槽中形成金属镀层，制 成了衬底通孔。提供沟槽的方法宽泛地分为3种方法。第一种方法是在 提供半导体器件的表面上形成沟槽。通过第一种方法形成的衬底通孔 称为表面衬底通孔。第二种方法是在半导体衬底的背面上形成沟槽。 通过第二种方法形成的衬底通孔称为背面衬底通孔。第三种方法是从 半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：形成到半导体衬底的第一表面的半导体器件；提供在第一通孔中的阻挡膜，该第一通孔以凹状形成到半导体衬底的第一表面；第一通路线，连接至与阻挡膜接触的半导体器件的电极；第二通路线，形成在第二通孔内，与第一通路线电连接且阻挡膜介于其间，并且是形成于第二表面的布线的一部分，该第二通孔以凹状形成于与半导体衬底的第一表面相对的第二表面，以到达阻挡膜，其中阻挡膜包括８族元素中的至少一种。

【技术特征摘要】
JP 2006-9-27 2006-2620821.一种半导体装置，包括形成到半导体衬底的第一表面的半导体器件；提供在第一通孔中的阻挡膜，该第一通孔以凹状形成到半导体衬底的第一表面；第一通路线，连接至与阻挡膜接触的半导体器件的电极；第二通路线，形成在第二通孔内，与第一通路线电连接且阻挡膜介于其间，并且是形成于第二表面的布线的一部分，该第二通孔以凹状形成于与半导体衬底的第一表面相对的第二表面，以到达阻挡膜，其中阻挡膜包括8族元素中的至少一种。2. 根据权利要求l的半导体装置，其中半导体衬底是Si、GaAs、InP、 GaN或SiC。3. 根据权利要求l的半导体装置，其中该阻挡膜包括8族元素中的 至少一种铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、钉(Ru)、铑(Rh)、 钯(Pd)、锇(Os)、铱(Ir)和钼(Pt)。4. 根据权利要求l的半导体装置，其中一个第一通路线与一个第 二通路线连接。5. 根据权利要求l的半导体装置，其中多个第一通路线与一个第 二通路线连接。6. 根据权利要求l的半导体装置，其中将第二通路线提供到形成 到第一表面的半导体器件的下部。7. 根据权利要求l的半导体装置，其中第二通路线被设置为相对 于形成到第一表面的半导体器件的下部具有斜侧壁。8. 根据权利要求l的半导体装置，其中第一和第二通路线是金属、 金属合金或具有扩散的导电颗粒的树脂。9. 根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：浅井周二，日高匡睦，黑泽直人，及川洋一，丹羽隆树，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]