用于相变存储器器件的电极和方法技术

本发明专利技术公开了一种用于相变存储器器件的存储材料的电极。所述电极包括粘结到存储材料的第一层，所述第一层包括氮化物（ＡＮ↓［ｘ］），其中Ａ为钛（Ｔｉ）和钨（Ｗ）中的一种，而ｘ小于１．０，以及粘结到所述第一层的第二层，所述第二层包括氮化物（ＡＮ↓［ｙ］），其中ｙ大于或等于１．０。多层电极允许所述第一层与基于硫族化物的存储材料例如ＧＳＴ的粘结比与例如化合物ＴｉＮ或ＷＮ的粘结更好，它可以防止分层。同时公开了相变存储器器件和方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术通常涉及相变存储器，更具体地说，涉及用于相变存储器器件的相变材料的电极和方法。
技术介绍
相变存储器(PCM)是一类使用能够抵御由材料的机械相决定的变化的相变材料的非易失性计算机存储器。PCM也可以公知为双向一致存储器(OUM)、硫族化物随机存取存储器(CRAM)或相变随机存取存储器(PRAM)。几乎所有的PCM都使用硫族化物合金构建，它通常是称作GST的锗(Ge)、锑(Sb)和碲(Te)的混合物。一种GST合金具有分子式Ge2Sb2Te5。在高温(600℃以上)下，硫族化物会变成液体，而且通过接下来的迅速冷却，它会凝固为无定形的类玻璃态，而且它的电阻较高。通过将硫族化物加热到其晶体化点以上而熔点以下的温度，它将转化为具有非常低的电阻的晶体态。而且，当材料被设定为具体状态以表现电阻值时，此值会保持直到被材料的另一相变预置。可以非常快地例如在10ns之内完成相变。在用作PCM期间，通常通过由小的电脉冲产生的热改变相变材料的相。由上述特性得出，硫族化物材料提供了用于下一代技术的存储器的适合机理。具体地说，相变材料可以轻易集成到常规互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺中。PC本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于相变存储器器件的存储材料的电极，所述电极包括：第一层，粘结到与二极管电极相反的存储材料的表面，所述第一层包括氮化物（ＡＮ↓［ｘ］），其中Ａ为钛（Ｔｉ）和钨（Ｗ）中的一种，而ｘ小于１．０；以及第二层，粘结到所述第一层， 所述第二层包括氮化物（ＡＮ↓［ｙ］），其中ｙ大于或等于１．０。

【技术特征摘要】
US 2006-3-7 11/308,1041.一种用于相变存储器器件的存储材料的电极，所述电极包括第一层，粘结到与二极管电极相反的存储材料的表面，所述第一层包括氮化物(ANx)，其中A为钛(Ti)和钨(W)中的一种，而x小于1.0；以及第二层，粘结到所述第一层，所述第二层包括氮化物(ANy)，其中y大于或等于1.0。2.根据权利要求1的电极，其中所述存储材料包括硫族化物材料。3.根据权利要求2的电极，其中所述硫族化物材料包括锗(Ge)、锑(Sb)和碲(GST)(Ge2Sb2Te5)。4.根据权利要求1的电极，其中所述第一层具有不小于约10埃()和不大于约25的厚度，而所述第二层具有不小于约100埃()和不大于约2000的厚度。5.根据权利要求1的电极，其中所述第一层具有比所述第二层低的电阻。6.一种形成用于相变存储器器件的存储材料的电极的方法，所述方法包括以下步骤形成粘结到所述存储材料的上表面的第一层，所述第一层包括氮化物(ANx)，其中A为钛(Ti)和钨(W)中的一种，而x小于1.0；以及形成粘结到所述第一层的第二层，所述第二层包括氮化物(ANy)，其中y大于或等于1.0。7.根据权利要求6的方法，其中所述存储材料包括硫族化物材料。8.根据权利要求7的方法，其中所述硫族化物材料包括锗(Ge)、锑(Sb)和碲(GST)(Ge2Sb2Te5)。9.根据权利要求7的方法，其中通过溅射淀积形成所述存储材料。10.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：KKH黄，DR科特，RW莫特，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]