薄膜晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术提供了制造薄膜晶体管的方法和薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括多晶硅层，该多晶硅层是通过使用激光束穿过形成在非晶硅层上的有机层照射该非晶硅层并去除该有机层而形成的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。
技术介绍
平板显示器因为它们的轻重量、薄结构以及低功耗而受到关注。具有较高图像质量的平板显示器的示例包括液晶显示器(LCD)和有机发光显示器(OLED)。平板显示器可以使用薄膜晶体管(TFT)作为开关器件。TFT的半导体层包括非晶硅或多晶硅。与非晶硅相比，多晶硅具有优越的场效应迁移率、响应时间以及温度和光的稳定性。包括由多晶硅构成的半导体层的TFT的优点在于，可以在同一基板上形成TFT和驱动集成电路(IC)。不需要将TFT连接到驱动IC。由多晶硅构成的半导体层可以通过淀积多晶硅或者通过使非晶硅层在淀积之后结晶来形成。结晶有许多方法，例如，固相结晶(SPC)、金属诱导结晶(MIC)、准分子激光退火(ELA)以及连续的横向固化(SLS)等等。ELA是用于使非晶硅结晶的代表性方法。通过使用激光束(例如，具有大约308nm的波长的XeC1激光)照射非晶硅层来执行通过ELA进行的结晶。ELA的应用非常普遍，因为通过ELA进行的结晶对玻璃基板的热影响较低，并且通过ELA结晶的多晶硅层与通过其他方法结晶的多晶硅层相比较，具有优越的特性。图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造薄膜晶体管的方法，该方法包括：在基板上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上形成有机层；通过使用激光束穿过所述有机层照射所述非晶硅层来形成多晶硅层；以及　去除所述有机层。

【技术特征摘要】
KR 2006-3-10 10-2006-00226251.一种用于制造薄膜晶体管的方法，该方法包括在基板上形成非晶硅层；在所述非晶硅层上形成有机层；通过使用激光束穿过所述有机层照射所述非晶硅层来形成多晶硅层；以及去除所述有机层。2.根据权利要求1的方法，其中，所述有机层包括自组装单层，该自组装单层包括硅烷基。3.根据权利要求1的方法，其中，所述有机层包括由式X-Y-Z表示的材料，其中X是H或CH3，Y是线性或支链的C4至C50，而Z是包括至少一种卤族元素的硅烷基。4.根据权利要求1的方法，其中，所述有机层包括十八烷基三氯硅烷(OTS)或单烷基三氯硅烷(MTS)之一。5.根据权利要求1的方法，其中，所述有机层的厚度在1nm至10nm的范围内。6.根据权利要求1的方法，其中，去除所述有机层的步骤包括使用UV光照射并使用乙醇或水之一进行清洗。7.根据权利要求1的方法，该方法还包括形成栅极和栅极绝缘层，其中在所述基板上形成所述非晶硅层之前或者在去除所述有机层之后形成所述栅极和所述栅极绝缘层。8.根据权利要求7的方法，该方法还包括通过对所述多晶硅层进行构图来形成半导体层；通过在所述半导体层的多个部分中掺入杂质，来在所述半导体层中限定源区、漏区和沟道区；以及形成分别电连接到所述源区和所述漏区的源极和漏极。9.一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括包括多晶硅并且包括源区、漏区和沟道区的半导体层，其中，通过使用激光束穿过可去除地设置在非晶硅层上的有机层照射该非晶硅层从而结晶出所述多晶硅，与所述沟道区间隔开的栅极；所述栅极和所述半导体层之间的栅极绝缘层，其中，所述栅极绝缘层和所述半导体层之间的界面基本上没有突起；以及分别电连接到所述源区和所述漏区的源极和漏极。10.根据权利要求9的薄膜晶体管，其中，所述有机层包括自组装单层，该自组装单层包括硅烷基。11.根据权利要求9的薄膜晶体管，其中，所述有机层包括由式X-Y-Z表示的材料，其中X是H或CH3，Y是线性或支链的C4至C50，而Z是包括至少一种卤族元素的硅烷基。12.根据权利要求9的薄膜晶体管，其中，所述有机层包括十八烷基三氯硅烷(OTS)或单烷基三氯硅烷(MTS)。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴宰范，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]