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本发明公开了一种用于相变存储器器件的存储材料的电极。所述电极包括粘结到存储材料的第一层，所述第一层包括氮化物（ＡＮ↓［ｘ］），其中Ａ为钛（Ｔｉ）和钨（Ｗ）中的一种，而ｘ小于１．０，以及粘结到所述第一层的第二层，所述第二层包括氮化物（ＡＮ↓［...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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